BSS138BK daripada Nexperia ialah Transistor Kesan Medan (FET) mod peningkatan saluran-N yang menggunakan teknologi Trench MOSFET untuk memberikan kecekapan dan prestasi tinggi dalam pakej plastik Peranti Lekap Permukaan (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang kompak. Komponen ini direka untuk keserasian tahap logik, menampilkan keupayaan pensuisan yang sangat pantas dan perlindungan Nyahcas Elektrostatik (ESD) sehingga 1.5 kV, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi.
Ciri utama termasuk voltan saliran-sumber (VDS) 60V, voltan get-sumber (VGS) ±20V, dan arus saliran (ID) sehingga 360mA pada suhu ambien 25°C. BSS138BK juga mempamerkan rintangan keadaan hidup saliran-sumber (RDSon) yang rendah iaitu 1 hingga 1.6Ω pada VGS = 10V dan ID = 350mA, memastikan operasi yang cekap. Ciri haba dan reka bentuknya yang teguh menjadikannya boleh dipercayai untuk digunakan dalam pelbagai aplikasi, termasuk pemacu geganti, suis beban sisi rendah, pemacu talian berkelajuan tinggi, dan litar pensuisan.
Transistor
MOSFET saluran-N adalah sejenis Transistor Kesan Medan (FET) yang digunakan secara meluas dalam litar elektronik untuk menukar dan menguatkan isyarat. Ia beroperasi dengan menggunakan voltan input untuk mengawal aliran arus melalui saluran. Penandaan saluran-N merujuk kepada jenis pembawa cas (elektron) yang bergerak melalui peranti.
Apabila memilih MOSFET saluran-N, jurutera mempertimbangkan parameter seperti voltan salir-sumber (VDS), voltan get-sumber (VGS), arus salir (ID), dan rintangan keadaan hidup salir-sumber (RDSon). Parameter ini menentukan keupayaan peranti untuk mengendalikan tahap voltan, arus, dan kuasa dengan cekap.
MOSFET saluran-N digemari kerana kecekapan tinggi, kelajuan pensuisan pantas, dan keupayaan untuk memacu arus yang ketara. Ia digunakan dalam pelbagai litar, termasuk bekalan kuasa, pengawal motor, dan suis elektronik. Pertimbangan utama apabila memilih MOSFET saluran-N termasuk keperluan aplikasi khusus, pengurusan haba, dan keperluan untuk ciri perlindungan seperti rintangan ESD.
BSS138BK menunjukkan penggunaan teknologi MOSFET Parit, yang meningkatkan prestasi dengan mengurangkan rintangan keadaan-hidup dan meningkatkan kelajuan pensuisan. Ini menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang memerlukan pengurusan kuasa yang cekap dan keupayaan pensuisan pantas.