2N7002H6327XTSA2 daripada Infineon adalah MOSFET mod peningkatan saluran-N yang direka untuk aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi. Komponen ini beroperasi dengan voltan parit-punca maksimum (VDS) 60V dan boleh mengendalikan arus parit berterusan (ID) sehingga 0.3A pada 25°C. Dengan rintangan hidup maksimum (RDS(on)) 3Ω pada VGS=10V, ia menawarkan keupayaan pengendalian kuasa yang cekap untuk saiznya. Peranti ini juga mempunyai keserasian tahap logik, membolehkannya dipacu terus oleh isyarat logik voltan rendah.
MOSFET ini dinilai runtuhan (avalanche rated), menunjukkan ketahanannya dalam mengendalikan lonjakan tenaga semasa operasi. Ciri pensuisan pantasnya menjadikannya sesuai untuk aplikasi frekuensi tinggi. 2N7002H6327XTSA2 dibungkus dalam pakej PG-SOT23 yang kompak, menjadikannya ideal untuk aplikasi yang terhad ruang. Ia juga mematuhi RoHS dan bebas halogen, mematuhi piawaian alam sekitar semasa.
Transistor
MOSFET (Transistor Kesan Medan Semikonduktor Logam-Oksida) ialah sejenis transistor yang digunakan untuk menguatkan atau menukar isyarat elektronik. Ia adalah komponen asas dalam peranti elektronik moden, melayani pelbagai aplikasi daripada pengurusan kuasa hingga pemprosesan isyarat. MOSFET saluran-N, seperti 2N7002H6327XTSA2, direka untuk mengalirkan arus antara terminal saliran dan punca apabila voltan positif dikenakan pada get relatif kepada punca.
Apabila memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, parameter utama seperti voltan salir-sumber (VDS), arus salir (ID), dan rintangan keadaan-hidup (RDS(on)) adalah penting untuk dipertimbangkan. Parameter ini menentukan keupayaan pengendalian voltan dan arus peranti, serta kecekapannya. Keserasian tahap logik adalah satu lagi faktor penting, terutamanya dalam aplikasi voltan rendah di mana MOSFET perlu dipacu secara langsung oleh mikropengawal atau peranti logik lain.
Kelajuan di mana MOSFET boleh bertukar hidup dan mati adalah kritikal dalam aplikasi frekuensi tinggi. Pensuisan pantas mengurangkan kehilangan kuasa dan meningkatkan kecekapan. Selain itu, peranti yang dinilai runtuhan salji menawarkan kebolehpercayaan yang dipertingkatkan dalam keadaan di mana lonjakan voltan mungkin berlaku. Pembungkusan juga merupakan pertimbangan, dengan pakej kompak seperti PG-SOT23 membolehkan reka bentuk yang cekap ruang.
Secara ringkas, pemilihan MOSFET melibatkan penilaian teliti terhadap ciri elektriknya, keserasian dengan isyarat pemacu, prestasi pensuisan, dan saiz fizikal. Memahami aspek-aspek ini akan memastikan prestasi optimum dalam aplikasi yang dimaksudkan.