2N7002LT1G dari onsemi adalah MOSFET Saluran-N yang direka untuk aplikasi pensuisan isyarat kecil. Ditempatkan dalam pakej SOT-23 yang padat, MOSFET ini menyokong voltan salir-punca (VDSS) sehingga 60V dan arus salir berterusan (ID) sebanyak 115mA pada 25°C. Ia mempunyai rintangan keadaan-hidup (RDS(on)) yang rendah sebanyak 7.5 Ohm pada VGS = 10V, meningkatkan kecekapannya dalam operasi litar.
Peranti ini juga menawarkan prestasi haba yang teguh dengan rintangan haba simpang-ke-ambien maksimum (RθJA) sebanyak 556 °C/W pada papan FR-5. Untuk aplikasi yang memerlukan kecekapan haba yang lebih tinggi, prestasi peranti pada substrat alumina menunjukkan RθJA yang lebih baik sebanyak 417 °C/W. 2N7002LT1G direka untuk mengendalikan arus longkang berdenyut (IDM) sehingga 800mA, memberikan fleksibiliti untuk pelbagai keperluan reka bentuk. Ciri dinamiknya termasuk kapasitans input, output, dan pemindahan songsang, memudahkan pemodelan yang tepat dalam aplikasi pensuisan.
MOSFET
MOSFET (Transistor Kesan Medan Semikonduktor Logam-Oksida) adalah sejenis transistor yang digunakan untuk menguatkan atau menukar isyarat elektronik. Ia digunakan secara meluas dalam peranti elektronik kerana impedans input yang tinggi, yang meminimumkan penarikan arus daripada sumber input, dan keupayaannya untuk beroperasi pada kelajuan tinggi. MOSFET saluran-N, seperti 2N7002LT1G, mengalir apabila voltan positif dikenakan pada get berbanding sumber, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi termasuk pengurusan kuasa, pensuisan beban, dan penguatan isyarat.
Apabila memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, parameter penting untuk dipertimbangkan termasuk voltan parit-sumber (VDSS), arus parit (ID), rintangan keadaan-hidup (RDS(on)), dan ciri haba. Penarafan VDSS menunjukkan voltan maksimum yang boleh disekat oleh MOSFET apabila dimatikan, manakala penarafan ID memberikan arus maksimum yang boleh dialirkan apabila dihidupkan. Nilai RDS(on) adalah kritikal untuk kecekapan kuasa, kerana nilai yang lebih rendah menghasilkan kurang pelesapan kuasa. Ciri haba, seperti rintangan haba simpang-ke-ambien (RθJA), juga penting untuk memastikan peranti beroperasi dalam had suhu yang selamat.
Selain parameter ini, ciri pensuisan MOSFET, seperti masa hidup dan mati, adalah penting untuk aplikasi yang memerlukan kelajuan pensuisan pantas. Ciri diod badan, yang menerangkan tingkah laku diod intrinsik antara saliran dan sumber, adalah relevan untuk aplikasi yang melibatkan aliran arus songsang. Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET harus berdasarkan penilaian menyeluruh terhadap prestasi elektrik dan habanya untuk memenuhi keperluan khusus aplikasi yang dimaksudkan.