T2N7002BK,LM(T: MOSFET Saluran-N, 60V, 400mA, SOT23, RDS(ON) 1.05Ω
Toshiba

T2N7002BK ialah MOSFET Saluran-N Silikon yang direka untuk aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi. Ia menampilkan rintangan hidup saliran-sumber (RDS(ON)) yang rendah sebanyak 1.05 Ω (biasa) pada VGS = 10V, menjadikannya sesuai untuk pengurusan kuasa yang cekap dalam pelbagai litar. Komponen ini dibungkus dalam bentuk SOT23 yang kompak, memudahkan integrasi mudah ke dalam reka bentuk yang terhad ruang.

MOSFET ini menyokong voltan saliran-sumber (VDSS) sehingga 60V dan boleh mengendalikan arus saliran berterusan (ID) sehingga 400mA, dengan keupayaan arus saliran berdenyut sehingga 1200mA. Ia juga menggabungkan perlindungan ESD dengan tahap HBM 2 kV, meningkatkan kebolehpercayaannya dalam persekitaran sensitif. T2N7002BK dioptimumkan untuk prestasi dengan julat voltan get-sumber, menunjukkan kepelbagaian dalam keadaan operasi yang berbeza.

Spesifikasi dan Ciri Utama

  • Voltan Saliran-Sumber (VDSS): 60V
  • Voltan Get-Sumber (VGSS): ±20V
  • Arus Saliran Berterusan (ID): 400mA
  • Arus Saliran Berdenyut (IDP): 1200mA
  • Rintangan Hidup Saliran-Sumber (RDS(ON)): 1.05 Ω (tip.) pada VGS = 10V
  • Pelesapan Kuasa (PD): 320 mW hingga 1000 mW
  • Suhu Saluran (Tch): 150°C
  • Perlindungan ESD: Tahap HBM 2 kV

T2N7002BK,LM(T Pengganti
Komponen alternatif setara yang mungkin berfungsi sebagai pengganti untuk T2N7002BK,LM(T, komponen paling popular dahulu

Aplikasi

  • Aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi

Kategori

MOSFET

Maklumat umum

MOSFET (Transistor Kesan Medan Semikonduktor Oksida Logam) adalah komponen asas dalam reka bentuk elektronik, menawarkan kecekapan dan kebolehpercayaan yang tinggi untuk tugas pensuisan dan penguatan. Ia beroperasi dengan mengawal kekonduksian voltan antara terminal saliran dan punca, menjadikannya penting untuk pengurusan kuasa, pemprosesan isyarat, dan banyak lagi.

Apabila memilih MOSFET, parameter utama termasuk voltan salir-sumber (VDSS), arus salir (ID), voltan get-sumber (VGSS), dan rintangan hidup salir-sumber (RDS(ON)). Parameter ini menentukan keupayaan MOSFET untuk mengendalikan voltan tinggi, arus, dan kecekapannya. Selain itu, pembungkusan, pengurusan haba, dan tahap perlindungan ESD adalah pertimbangan penting.

Untuk aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi, MOSFET dengan RDS(ON) rendah lebih disukai untuk meminimumkan kehilangan kuasa dan penjanaan haba. Pilihan julat voltan get-punca (VGSS) juga mempengaruhi keserasian dengan litar pemacu. Selain itu, memahami ciri-ciri haba dan memastikan pelesapan haba yang mencukupi adalah kritikal untuk operasi yang boleh dipercayai.

Secara ringkasnya, memilih MOSFET yang betul melibatkan analisis teliti ciri-ciri elektrik, sifat haba, dan keperluan aplikasi. MOSFET seperti T2N7002BK, dengan RDS(ON) yang rendah dan ciri perlindungan yang teguh, menawarkan pilihan yang menarik untuk jurutera yang ingin mengoptimumkan reka bentuk mereka untuk prestasi dan kebolehpercayaan.

Indeks Populariti PartsBox

  • Perniagaan: 2/10
  • Hobi: 1/10

Pangkalan Data Komponen Elektronik

Popular electronic components