PMV120ENEAR: MOSFET Trench Saluran-N 60V, pakej SOT23, Serasi tahap logik

Nexperia

PMV120ENEA adalah Transistor Kesan Medan (FET) mod peningkatan saluran-N yang menggunakan teknologi Trench MOSFET, ditempatkan dalam pakej plastik Peranti Lekap Permukaan (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang kompak. Komponen ini direka untuk pengurusan kuasa yang cekap dalam litar elektronik, menawarkan keupayaan pensuisan pantas dan keserasian tahap logik, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi.

Ciri-ciri utama termasuk perlindungan Nyahcas Elektrostatik (ESD) melebihi 2 kV mengikut Model Badan Manusia (HBM), memastikan keteguhan dan kebolehpercayaan dalam persekitaran yang sukar. Selain itu, PMV120ENEA adalah berkelayakan AEC-Q101, menunjukkan kesesuaiannya untuk aplikasi automotif. Teknologi Trench MOSFET-nya membolehkan prestasi yang lebih baik dari segi kecekapan kuasa dan pengurusan terma berbanding MOSFET tradisional.

• Voltan Saliran-Punca (VDS): 60V maks
• Voltan Pintu-Punca (VGS): ±20V
• Arus Saliran (ID): 2.1A pada VGS = 10V, 25°C
• Rintangan Keadaan-Hidup Saliran-Punca (RDSon): 96 hingga 123mΩ pada VGS = 10V, ID = 2.1A, 25°C
• Jumlah Caj Pintu (QG(tot)): 5.9 hingga 7.4nC
• Perlindungan ESD: >2kV HBM

• Pemacu geganti
• Pemacu talian berkelajuan tinggi
• Suis beban sisi rendah
• Litar pensuisan

MOSFET saluran-N adalah sejenis Transistor Kesan Medan (FET) yang digunakan secara meluas dalam litar elektronik untuk pensuisan dan penguatan isyarat. Ia beroperasi dengan menggunakan medan elektrik untuk mengawal aliran arus antara terminal punca dan saliran. Penamaan saluran-N merujuk kepada penggunaan elektron bercas negatif sebagai pembawa cas.

Apabila memilih MOSFET saluran-N, beberapa parameter utama harus dipertimbangkan, termasuk voltan saliran-punca, voltan get-punca, arus saliran, dan rintangan keadaan hidup. Parameter ini menentukan keupayaan MOSFET untuk mengendalikan tahap voltan dan arus, serta kecekapan dan prestasi habanya.

MOSFET adalah komponen penting dalam pengurusan kuasa, memacu beban, dan aplikasi pensuisan isyarat. Kelajuan pensuisan yang pantas, kecekapan tinggi, dan keupayaan untuk mengendalikan tahap kuasa yang ketara menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi, daripada elektronik pengguna hingga sistem automotif.

Teknologi Trench MOSFET, seperti yang digunakan dalam PMV120ENEA, menawarkan prestasi yang lebih baik dengan mengurangkan rintangan keadaan-hidup dan meningkatkan ciri-ciri haba, yang membawa kepada penggunaan kuasa yang lebih cekap dan pengurangan penjanaan haba. Teknologi ini amat bermanfaat dalam aplikasi yang memerlukan ketumpatan kuasa dan kecekapan yang tinggi.