2N7002LT3G adalah MOSFET Saluran-N dari onsemi, direka untuk aplikasi isyarat kecil dan ditempatkan dalam pakej SOT-23 yang padat. Komponen ini menawarkan voltan saliran-sumber (VDSS) 60V dan arus saliran maksimum (ID) 115mA, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi kuasa rendah. Ia dicirikan oleh rintangan keadaan-hidup yang rendah dan keupayaan pensuisan berkelajuan tinggi. Peranti ini layak AEC-Q101, menjadikannya sesuai untuk aplikasi automotif, dan ia juga Bebas Pb, Bebas Halogen/Bebas BFR, dan patuh RoHS, mencerminkan komitmen onsemi terhadap kelestarian alam sekitar.
MOSFET ini menampilkan RDS(on) maksimum 7.5Ω pada 10V, menunjukkan kecekapannya dalam mengalirkan arus dengan kehilangan kuasa yang minimum. Ia juga menyokong arus salir berdenyut (IDM) sehingga 800mA, membolehkan operasi arus lebih tinggi sementara. Ciri-ciri haba peranti memastikan operasi yang boleh dipercayai, dengan suhu simpang maksimum 150°C. Ciri-ciri dinamiknya termasuk kapasitans input (Ciss) sebanyak 50pF, menjadikannya responsif dalam aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi.
MOSFET
MOSFET (Transistor Kesan Medan Semikonduktor Logam-Oksida) adalah sejenis transistor yang digunakan untuk menguatkan atau menukar isyarat elektronik. Ia dicirikan oleh terminal pintu, saliran, dan sumbernya. MOSFET Saluran-N, seperti 2N7002LT3G, mengalirkan arus apabila voltan positif dikenakan pada pintu berbanding sumber, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi penukaran.
Apabila memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, jurutera mempertimbangkan parameter seperti voltan parit-punca (VDSS), arus parit (ID), voltan get-punca (VGS), dan rintangan hidup parit-punca statik (RDS(on)). Parameter ini menentukan keupayaan MOSFET untuk mengendalikan voltan dan arus, kecekapannya, dan kesesuaiannya untuk aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi. Ciri-ciri terma juga penting, kerana ia mempengaruhi kebolehpercayaan dan jangka hayat peranti di bawah keadaan operasi yang berbeza.
MOSFET digunakan secara meluas dalam litar pengurusan kuasa, sistem kawalan motor, dan dalam penukaran beban dalam pelbagai peranti elektronik. Keupayaan mereka untuk menukar dengan pantas dan dengan kecekapan tinggi menjadikannya berharga dalam mengurangkan penggunaan kuasa dan penjanaan haba dalam sistem elektronik. Selain itu, pilihan antara MOSFET Saluran-N dan Saluran-P bergantung pada keperluan khusus litar, termasuk arah aliran arus dan jenis beban yang dipacu.
Secara keseluruhannya, pemilihan MOSFET melibatkan analisis teliti ciri elektriknya, prestasi haba, dan keperluan khusus aplikasi. Kebolehpercayaan, kecekapan, dan pematuhan piawaian alam sekitar juga merupakan pertimbangan utama dalam proses pemilihan.