PMV90ENE oleh Nexperia ialah MOSFET Trench Saluran-N 30 V, direka untuk digunakan dalam pelbagai aplikasi yang memerlukan kawalan dan penukaran kuasa yang cekap. Ia dikapsulkan dalam pakej plastik Peranti Lekap Permukaan (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang kompak, menggunakan teknologi MOSFET Trench termaju untuk mencapai prestasi tinggi dalam jejak yang kecil.
MOSFET ini dicirikan oleh keserasian tahap logiknya, membolehkannya dipacu secara langsung oleh litar logik tanpa memerlukan komponen pemacu tambahan. Ia juga mempunyai keupayaan pensuisan yang sangat pantas, meningkatkan kesesuaiannya untuk aplikasi berkelajuan tinggi dan frekuensi tinggi. Peranti ini termasuk perlindungan Nyahcas Elektrostatik (ESD) melebihi 2 kV HBM, melindunginya daripada kerosakan akibat nyahcas statik.
Transistor
MOSFET Parit saluran-N adalah sejenis Transistor Kesan Medan (FET) yang menggunakan struktur get parit untuk mencapai ketumpatan dan kecekapan yang lebih tinggi berbanding dengan MOSFET satah tradisional. Komponen ini digunakan secara meluas dalam aplikasi penukaran dan pengurusan kuasa kerana keupayaannya untuk mengawal aliran kuasa dalam litar dengan cekap.
Apabila memilih MOSFET Trench saluran-N, jurutera harus mempertimbangkan parameter seperti voltan saliran-sumber (VDS), voltan get-sumber (VGS), arus saliran (ID), dan rintangan keadaan-hidup saliran-sumber (RDSon). Parameter ini menentukan keupayaan MOSFET untuk mengendalikan tahap kuasa dan frekuensi pensuisan yang diperlukan dalam aplikasi tertentu.
Selain itu, jenis pakej dan ciri terma adalah pertimbangan penting. Pakej SOT23 popular kerana saiznya yang padat, menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang terhad ruang. Pengurusan terma adalah penting dalam mencegah pemanasan melampau dan memastikan operasi yang boleh dipercayai di bawah pelbagai keadaan.
Akhir sekali, ciri-ciri seperti keserasian tahap logik dan perlindungan ESD adalah bermanfaat dalam memudahkan reka bentuk litar dan meningkatkan ketahanan komponen.