PMV230ENEAR: 60V, MOSFET Parit saluran-N, pakej SOT23, Tahap logik, Pensuisan pantas

Nexperia

PMV230ENEAR adalah Transistor Kesan Medan (FET) mod peningkatan saluran-N yang terkandung dalam pakej plastik Peranti Lekap Permukaan (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang padat. Menggunakan teknologi MOSFET Parit, komponen ini menawarkan prestasi yang lebih baik dalam pelbagai litar elektronik. Reka bentuknya dioptimumkan untuk pensuisan pantas dan keserasian tahap logik, menjadikannya sesuai untuk aplikasi berkelajuan tinggi.

MOSFET ini dilengkapi dengan perlindungan Nyahcas Elektrostatik (ESD) melebihi 2 kV HBM, memastikan ketahanan terhadap nyahcas elektrostatik secara tiba-tiba. Selain itu, ia berkelayakan AEC-Q101, menunjukkan kebolehpercayaannya dalam aplikasi gred automotif. Faktor bentuk kecil PMV230ENEAR digabungkan dengan ciri prestasi teguhnya menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk aplikasi terhad ruang yang memerlukan pensuisan cekap.

• Voltan Salir-Punca (VDS): 60V
• Voltan Get-Punca (VGS): ±20V
• Arus Salir (ID): 1.5A pada VGS = 10V, Tamb = 25°C
• Rintangan Keadaan-Hidup Salir-Punca (RDSon): 176 - 222mΩ pada VGS = 10V, ID = 1.5A
• Jumlah Pelesapan Kuasa (Ptot): 480mW pada Tamb = 25°C
• Suhu Simpang (Tj): -55 hingga 150°C
• Ciri Statik dan Dinamik: Termasuk voltan ambang get, arus bocor, transkonduktans, dan parameter cas.

• Pemacu geganti
• Pemacu talian berkelajuan tinggi
• Suis beban sisi rendah
• Litar pensuisan

MOSFET saluran-N adalah komponen asas dalam kejuruteraan elektronik, berfungsi sebagai suis atau penguat yang cekap dalam litar. Ia beroperasi dengan menggunakan medan elektrik untuk mengawal kekonduksian saluran, membenarkan atau menghalang aliran arus. Jenis saluran-N, seperti PMV230ENEAR, mempunyai mobiliti elektron yang lebih tinggi berbanding jenis saluran-P, menjadikannya lebih cekap untuk banyak aplikasi.

Apabila memilih MOSFET saluran-N, jurutera mempertimbangkan parameter seperti voltan salir-punca, voltan get-punca, arus salir, dan pelesapan kuasa. Spesifikasi PMV230ENEAR, termasuk voltan salir-punca 60V dan keupayaan arus salir 1.5A, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi. Pakej SOT23 yang padat adalah berfaedah untuk reka bentuk yang terhad ruang.

Teknologi Trench MOSFET, seperti yang digunakan dalam PMV230ENEAR, menawarkan rintangan keadaan-hidup yang dikurangkan dan prestasi pensuisan yang lebih baik, yang kritikal untuk aplikasi kecekapan tinggi. Selain itu, ciri-ciri seperti perlindungan ESD dan kelayakan gred automotif (AEC-Q101) adalah penting untuk aplikasi yang memerlukan kebolehpercayaan dan keteguhan tinggi.

Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET saluran-N melibatkan keseimbangan antara spesifikasi elektrik, pembungkusan, dan ciri tambahan seperti perlindungan ESD. Gabungan prestasi tinggi, pembungkusan kompak, dan ciri kebolehpercayaan PMV230ENEAR menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk jurutera yang mereka bentuk sistem elektronik.