2N7002LT3G er en N-kanal MOSFET fra onsemi, designet for småsignalapplikasjoner og huset i en kompakt SOT-23 pakke. Denne komponenten tilbyr en drenering-kilde-spenning (VDSS) på 60V og en maksimal dreneringsstrøm (ID) på 115mA, noe som gjør den egnet for en rekke lavkraftapplikasjoner. Den er kjennetegnet ved sin lave på-tilstandsmotstand og høyhastighets bryteegenskaper. Enheten er AEC-Q101 kvalifisert, noe som gjør den egnet for bilapplikasjoner, og den er også blyfri, halogenfri/BFR-fri, og RoHS-kompatibel, noe som reflekterer onsemis forpliktelse til miljømessig bærekraft.
MOSFETen har en maksimal RDS(on) på 7.5Ω ved 10V, noe som indikerer dens effektivitet i å lede strøm med minimalt krafttap. Den støtter også en pulsert dreneringsstrøm (IDM) på opptil 800mA, som tillater forbigående høyere strømoperasjoner. Enhetens termiske egenskaper sikrer pålitelig drift, med en maksimal krysspunktstemperatur på 150°C. Dens dynamiske egenskaper inkluderer en inngangskapasitans (Ciss) på 50pF, noe som gjør den responsiv i høyhastighets bryterapplikasjoner.
MOSFET
MOSFET-er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) er en type transistor som brukes for å forsterke eller bytte elektroniske signaler. De er kjennetegnet ved sine port, drener og kilde-terminaler. N-kanal MOSFET-er, som 2N7002LT3G, leder strøm når en positiv spenning påføres porten i forhold til kilden, noe som gjør dem egnet for en rekke bytteapplikasjoner.
Når man velger en MOSFET for en spesifikk applikasjon, vurderer ingeniører parametere som drenerings-kildespenning (VDSS), dreneringsstrøm (ID), gate-kildespenning (VGS), og statisk drenerings-kilde på-tilstandsmotstand (RDS(on)). Disse parameterne bestemmer MOSFETens evne til å håndtere spenning og strøm, dens effektivitet, og dens egnethet for høyhastighetsbrytingsapplikasjoner. Termiske egenskaper er også viktige, da de påvirker enhetens pålitelighet og levetid under forskjellige driftsforhold.
MOSFET-er brukes mye i strømstyringssystemer, motorstyringssystemer og i bytting av laster i ulike elektroniske enheter. Deres evne til å bytte raskt og med høy effektivitet gjør dem verdifulle for å redusere strømforbruk og varmegenerering i elektroniske systemer. I tillegg avhenger valget mellom N-kanal og P-kanal MOSFET-er av de spesifikke kravene til kretsen, inkludert strømningsretningen og typen last som drives.
Generelt innebærer valget av en MOSFET en nøye analyse av dens elektriske egenskaper, termiske ytelse, og de spesifikke kravene til applikasjonen. Pålitelighet, effektivitet og overholdelse av miljøstandarder er også nøkkelhensyn i valgprosessen.