2N7002LT3G er en N-kanal MOSFET fra onsemi, designet for småsignalapplikasjoner og plassert i en kompakt SOT-23-pakke. Denne komponenten tilbyr en drain-source-spenning (VDSS) på 60V og en maksimal drain-strøm (ID) på 115mA, noe som gjør den egnet for en rekke lavstrømsapplikasjoner. Den kjennetegnes av sin lave på-motstand og høyhastighets svitsjeevner. Enheten er AEC-Q101-kvalifisert, noe som gjør den egnet for bilapplikasjoner, og den er også blyfri, halogenfri/BFR-fri og RoHS-kompatibel, noe som gjenspeiler onsemis forpliktelse til miljømessig bærekraft.
MOSFET-en har en maksimal RDS(on) på 7.5Ω ved 10V, noe som indikerer dens effektivitet i å lede strøm med minimalt effekttap. Den støtter også en pulset drain-strøm (IDM) på opptil 800mA, noe som tillater drift med høyere strøm i korte perioder. Enhetens termiske egenskaper sikrer pålitelig drift, med en maksimal overgangstemperatur på 150°C. Dens dynamiske egenskaper inkluderer en inngangskapasitans (Ciss) på 50pF, noe som gjør den responsiv i høyhastighets svitsjeapplikasjoner.
MOSFET
MOSFET-er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) er en type transistor som brukes til å forsterke eller svitsje elektroniske signaler. De kjennetegnes ved sine gate-, drain- og source-terminaler. N-Kanal MOSFET-er, som 2N7002LT3G, leder strøm når en positiv spenning påføres gaten i forhold til source, noe som gjør dem egnet for en rekke svitsjeapplikasjoner.
Når man velger en MOSFET for en spesifikk applikasjon, vurderer ingeniører parametere som drain-source spenning (VDSS), drain-strøm (ID), gate-source spenning (VGS) og statisk drain-source på-motstand (RDS(on)). Disse parameterne bestemmer MOSFET-ens evne til å håndtere spenning og strøm, dens effektivitet og dens egnethet for høyhastighets svitsjeapplikasjoner. Termiske egenskaper er også viktige, da de påvirker enhetens pålitelighet og levetid under forskjellige driftsforhold.
MOSFET-er er mye brukt i strømstyringskretser, motorstyringssystemer og ved svitsjing av laster i forskjellige elektroniske enheter. Deres evne til å svitsje raskt og med høy effektivitet gjør dem verdifulle for å redusere strømforbruk og varmeutvikling i elektroniske systemer. I tillegg avhenger valget mellom N-kanal og P-kanal MOSFET-er av de spesifikke kravene til kretsen, inkludert strømretningen og typen last som drives.
Samlet sett innebærer valget av en MOSFET en nøye analyse av dens elektriske egenskaper, termiske ytelse og de spesifikke kravene til applikasjonen. Pålitelighet, effektivitet og samsvar med miljøstandarder er også viktige hensyn i utvelgelsesprosessen.