2N7002ET7G: N-kanal MOSFET, 60V, 310mA, SOT-23, Lav RDS(på)
onsemi

2N7002ET7G er en N-kanals MOSFET fra onsemi, designet for effektiv strømstyring og bryterapplikasjoner. Den har en drenering-til-kildespenning (VDS) på 60V og en maksimal kontinuerlig dreneringsstrøm (ID) på 310mA, noe som gjør den egnet for en rekke lavstrømsapplikasjoner. Denne komponenten bruker grøftteknologi for å oppnå lave på-motstandsverdier (RDS(on)) på 2.5Ω ved 10V og 3.0Ω ved 4.5V, noe som sikrer effektiv drift og redusert strømfordeling.

Dens kompakte SOT-23-pakke er optimalisert for overflatemonteringsteknologi, noe som muliggjør høy tetthet av kretskortoppsett. 2N7002ET7G er AEC-Q101 kvalifisert og PPAP-kompatibel, noe som indikerer dens pålitelighet og egnethet for bilapplikasjoner. I tillegg er den blyfri, halogenfri/BFR-fri og RoHS-kompatibel, noe som gjør den til et miljøvennlig valg for elektroniske design.

Nøkkelspesifikasjoner og Funksjoner

  • Drain-til-Source Spenning (VDS): 60V
  • Kontinuerlig Drain Strøm (ID): 310mA
  • På-Motstand (RDS(on)): 2.5Ω ved 10V, 3.0Ω ved 4.5V
  • Gate-til-Source Spenning (VGS): ±20V
  • Effekttap: 300mW vedvarende tilstand, 420mW for <5s
  • Driftstemperaturområde for Junction: -55°C til +150°C
  • Pakke: SOT-23

2N7002ET7G Datablad

2N7002ET7G datablad (PDF)

2N7002ET7G Erstatninger
Ekvivalente alternative komponenter som kan tjene som en erstatning for 2N7002ET7G, mest populære komponenter først

Applikasjoner

  • Lavside lastbryter
  • Nivåskiftekretser
  • DC-DC omformere
  • Bærbare applikasjoner (f.eks. digitalkameraer, PDAer, mobiltelefoner)

Kategori

MOSFET

Generell informasjon

MOSFET-er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) er en type transistor som brukes til å forsterke eller bytte elektroniske signaler. De er en essensiell komponent i et bredt spekter av elektroniske enheter på grunn av deres høy effektivitet og raske bryteregenskaper. N-kanal MOSFET-er, som 2N7002ET7G, brukes typisk i applikasjoner der laststrømmer må kontrolleres av en spenning som påføres portterminalen.

Når man velger en MOSFET for en bestemt applikasjon, er flere parametere viktige å vurdere, inkludert drener-kilde-spenningen (VDS), port-kilde-spenningen (VGS), kontinuerlig drenerstrøm (ID) og på-resistans (RDS(on)). Disse parameterne bestemmer MOSFET-ens evne til å håndtere de nødvendige kraftnivåene og dens effektivitet i kretsen.

Pakketypen spiller også en betydelig rolle i komponentens ytelse, spesielt når det gjelder termisk styring og fotavtrykk på PCB-en. For applikasjoner som krever høy pålitelighet, som bilindustrien eller industrielle, er det også viktig å vurdere komponentens overensstemmelse med bransjestandarder og kvalifikasjoner.

Generelt vil valget av en MOSFET betydelig påvirke ytelsen, effektiviteten og påliteligheten til den elektroniske enheten den brukes i. Derfor er en grundig forståelse av komponentens spesifikasjoner og hvordan de stemmer overens med applikasjonens krav avgjørende for optimal design.

PartsBox Popularitetsindeks

  • Forretning: 0/10
  • Hobby: 0/10

Elektronisk Komponentdatabase

Popular electronic components