BAT54A-7-F: Diode à Barrière Schottky SMT, 30V, 200mA, 0.8V max VF, SOT23
Diodes Inc.

La BAT54A-7-F est une diode à barrière Schottky montée en surface conçue pour les applications de commutation à haute vitesse. Elle présente une faible tension de seuil et une tension directe maximale de 0,8V, permettant un fonctionnement efficace. Le composant est encapsulé dans un boîtier SOT23, offrant une solution compacte pour les applications où l'espace est limité. Cette diode est conçue avec un anneau de protection de jonction PN, offrant une protection renforcée contre les événements transitoires et les décharges électrostatiques (ESD), ce qui la rend adaptée aux circuits électroniques sensibles.

Le dispositif est conforme aux réglementations RoHS, offrant une option respectueuse de l'environnement pour les conceptions électroniques. Il est capable de gérer un courant de sortie redressé moyen de 200mA et supporte une tension inverse répétitive de crête de 30V. Le BAT54A-7-F se caractérise par sa capacité de commutation rapide, ce qui en fait un choix idéal pour les applications à haute fréquence. Les propriétés mécaniques et thermiques de la diode sont optimisées pour la fiabilité, y compris un niveau de sensibilité à l'humidité de 1 et une dissipation de puissance maximale de 200mW.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Boîtier: SOT23 (Standard)
  • Tension Inverse Répétitive Maximale (VRRM): 30V
  • Courant de Sortie Moyenne Redressée (IO): 200mA
  • Tension Directe (VFmax): 0.8V
  • Courant de Fuite Inverse (IRmax): 2μA
  • Dissipation de Puissance (PD): 200mW
  • Résistance Thermique, Jonction à l'Ambiant (RθJA): 500°C/W
  • Plage de Température de Fonctionnement: -65 à +150°C

BAT54A-7-F Fiche technique

BAT54A-7-F fiche technique (PDF)

Substituts de BAT54A-7-F
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Applications

  • Circuits de commutation à haute vitesse
  • Circuits d'alimentation
  • Convertisseurs DC-DC
  • Systèmes de gestion de batterie

Catégorie

Diode

Informations générales

Les diodes à barrière Schottky sont des dispositifs semi-conducteurs qui permettent au courant de circuler dans une direction avec une très faible chute de tension directe, ce qui les rend très efficaces pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance. Elles se caractérisent par l'utilisation d'une jonction métal-semi-conducteur comme barrière de la diode, contrairement à la jonction PN trouvée dans les diodes standard. Cette configuration entraîne une tension directe plus faible et une vitesse de commutation plus rapide.

Lors du choix d'une diode à barrière Schottky, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension inverse maximale, le courant direct, la chute de tension directe et le type de boîtier. Ces caractéristiques déterminent l'adéquation de la diode pour des applications spécifiques, y compris la conversion de puissance, le serrage de tension et les circuits de protection. La faible chute de tension directe et la capacité de commutation rapide rendent les diodes Schottky idéales pour les applications à haute fréquence et haute efficacité.

Une autre considération importante est la performance thermique de la diode, car la commutation à haute vitesse peut générer une chaleur significative. Les caractéristiques de résistance thermique et de dissipation de puissance fournissent un aperçu de la capacité de la diode à gérer la chaleur dans des conditions opérationnelles. De plus, des caractéristiques de protection telles que des bagues de protection contre les transitoires et les ESD sont précieuses pour améliorer la fiabilité et la longévité des circuits électroniques.

Dans l'ensemble, les diodes à barrière Schottky sont des composants polyvalents qui offrent des avantages significatifs pour une large gamme d'applications électroniques. Leur efficacité, leur rapidité et leur format compact en font des éléments essentiels pour les conceptions électroniques modernes, en particulier dans les circuits de gestion de puissance et de traitement de signal.

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