BAT54C-7-F: Diode barrière Schottky CMS, 200mA, 30V, SOT-23
Diodes Inc.

La BAT54C-7-F de Diodes Inc. est une diode à barrière Schottky montée en surface encapsulée dans un boîtier SOT-23. Elle est conçue pour fournir une faible tension d'activation et des capacités de commutation rapide, ce qui la rend adaptée aux applications de commutation à grande vitesse. La diode dispose d'un anneau de garde à jonction PN pour une protection améliorée contre les transitoires et les décharges électrostatiques (ESD), assurant la fiabilité sous contrainte. Sa construction est conforme à la norme RoHS, ce qui en fait un choix écologique pour les conceptions électroniques.

Cette diode Schottky est capable de gérer un courant de sortie redressé moyen de 200 mA et supporte une tension inverse répétitive de crête de 30 V. Elle se caractérise par une tension directe maximale de 0,8 V et un courant de fuite inverse de 2 μA, optimisant les performances dans les conditions de polarisation directe et inverse. La BAT54C-7-F convient à une large gamme d'applications, y compris la gestion de l'alimentation, la protection des circuits et la démodulation du signal.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Boîtier : SOT-23 (Standard)
  • Courant de sortie redressé moyen (IO) : 200mA
  • Tension inverse répétitive de crête (VRRM) : 30V
  • Tension directe (VFmax) : 0,8V
  • Courant de fuite inverse (IRmax) : 2μA
  • Anneau de garde de jonction PN pour la protection contre les transitoires et les ESD
  • Plage de température de fonctionnement : -65 à +150°C

Fiche technique BAT54C-7-F

Fiche technique BAT54C-7-F (PDF)

Substituts pour BAT54C-7-F
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour BAT54C-7-F, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Circuits de gestion de l'alimentation
  • Applications de commutation à grande vitesse
  • Protection des circuits
  • Démodulation de signal

Catégorie

Diode

Informations générales

Les diodes à barrière Schottky sont un type de diode semi-conductrice avec une faible chute de tension directe et une action de commutation très rapide. Contrairement aux diodes à jonction p-n ordinaires, les diodes Schottky sont construites à partir d'un contact métal-semi-conducteur, ce qui entraîne leurs caractéristiques électriques uniques. La faible chute de tension directe les rend très efficaces pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance. Elles sont couramment utilisées dans les circuits d'alimentation, les applications de limitation de tension et pour empêcher le flux de courant inverse.

Lors de la sélection d'une diode Schottky, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension inverse répétitive maximale, le courant direct nominal, la chute de tension directe et le courant de fuite inverse. Le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont également importants pour garantir que la diode peut être correctement intégrée dans la conception et fonctionnera de manière fiable dans les conditions prévues. Les diodes Schottky sont disponibles dans diverses configurations, y compris des formats simples, doubles et en réseau, pour répondre aux différentes exigences des circuits.

La série BAT54, y compris le BAT54C-7-F, offre des fonctionnalités supplémentaires telles que la protection ESD et un anneau de garde de jonction PN, améliorant la robustesse de la diode contre les pics de tension transitoires et les décharges électrostatiques. Ces caractéristiques rendent la série BAT54 adaptée aux applications automobiles et industrielles où la fiabilité dans des conditions difficiles est primordiale.

En résumé, les diodes à barrière Schottky sont des composants essentiels dans les conceptions électroniques modernes, offrant des capacités de commutation efficaces et rapides. La BAT54C-7-F est un exemple notable, offrant une faible tension d'activation, une commutation rapide et des fonctionnalités de protection améliorées dans un boîtier SOT-23 compact, ce qui en fait un choix polyvalent pour une large gamme d'applications.

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