BAT54C-7-F: Diode à barrière Schottky CMS, 200mA, 30V, SOT-23
Diodes Inc.

La BAT54C-7-F de Diodes Inc. est une diode à barrière Schottky montée en surface encapsulée dans un boîtier SOT-23. Elle est conçue pour fournir une faible tension de seuil et des capacités de commutation rapide, ce qui la rend adaptée aux applications de commutation à haute vitesse. La diode dispose d'un anneau de protection de jonction PN pour une protection renforcée contre les transitoires et les décharges électrostatiques (ESD), assurant une fiabilité sous des conditions de stress. Sa construction respecte la conformité RoHS, en faisant un choix respectueux de l'environnement pour les conceptions électroniques.

Cette diode Schottky est capable de gérer un courant de sortie redressé moyen de 200mA et supporte une tension inverse répétitive de crête de 30V. Elle est caractérisée par une tension directe maximale de 0,8V et un courant de fuite inverse de 2μA, optimisant les performances dans les conditions de polarisation directe et inverse. La BAT54C-7-F convient à une large gamme d'applications, y compris la gestion de l'alimentation, la protection des circuits et la démodulation des signaux.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Boîtier : SOT-23 (Standard)
  • Courant de sortie redressé moyen (IO) : 200mA
  • Tension inverse de crête répétitive (VRRM) : 30V
  • Tension directe (VFmax) : 0,8V
  • Courant de fuite inverse (IRmax) : 2μA
  • Anneau de protection de jonction PN pour la protection contre les transitoires et les ESD
  • Plage de température de fonctionnement : -65 à +150°C

BAT54C-7-F Fiche technique

BAT54C-7-F fiche technique (PDF)

Substituts de BAT54C-7-F
Pièces de rechange équivalentes qui peuvent servir de substitut à BAT54C-7-F, les composants les plus populaires en premier

Applications

  • Circuits de gestion de puissance
  • Applications de commutation rapide
  • Protection des circuits
  • Démodulation de signal

Catégorie

Diode

Informations générales

Les diodes à barrière Schottky sont un type de diode semi-conductrice avec une faible chute de tension directe et une action de commutation très rapide. Contrairement aux diodes à jonction p-n classiques, les diodes Schottky sont construites à partir d'un contact métal-semi-conducteur, ce qui leur confère leurs caractéristiques électriques uniques. La faible chute de tension directe les rend très efficaces pour les applications nécessitant une commutation rapide et de faibles pertes de puissance. Elles sont couramment utilisées dans les circuits d'alimentation, les applications de serrage de tension et pour prévenir le flux de courant inverse.

Lors du choix d'une diode Schottky, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension inverse répétitive maximale, la capacité de courant direct, la chute de tension directe et le courant de fuite inverse. Le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont également importants pour garantir que la diode peut être correctement intégrée dans la conception et fonctionnera de manière fiable dans les conditions prévues. Les diodes Schottky sont disponibles dans diverses configurations, y compris les formats simple, double et réseau, pour répondre à différents besoins de circuit.

La série BAT54, y compris le BAT54C-7-F, offre des fonctionnalités supplémentaires telles que la protection ESD et une bague de garde à jonction PN, améliorant la robustesse de la diode contre les surtensions transitoires et les décharges électrostatiques. Ces caractéristiques rendent la série BAT54 adaptée aux applications automobiles et industrielles où la fiabilité dans des conditions difficiles est primordiale.

En résumé, les diodes à barrière Schottky sont des composants essentiels dans les conceptions électroniques modernes, offrant des capacités de commutation rapides et efficaces. La BAT54C-7-F est un exemple notable, offrant une faible tension de seuil, une commutation rapide et des fonctionnalités de protection améliorées dans un boîtier compact SOT-23, ce qui en fait un choix polyvalent pour une large gamme d'applications.

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