1N4148W-13-F: Diode de commutation rapide SOD123, VRRM 100V, IFM 300mA, trr max 4ns
Diodes Inc.

Le 1N4148W-13-F de Diodes Inc. est une diode de commutation rapide en montage en surface conçue pour des applications de commutation à haute vitesse. Cette diode présente une faible chute de tension directe et un temps de récupération inverse rapide, la rendant adaptée pour des applications à haute fréquence. Le boîtier SOD123 est optimisé pour les processus d'insertion automatisés, améliorant l'efficacité de la production.

Les attributs clés incluent une tension répétitive inverse maximale (VRRM) de 100V, un courant continu avant (IFM) de 300mA, et un temps de récupération inverse (trr) jusqu'à 4ns. Ces spécifications font du 1N4148W-13-F un choix idéal pour les applications de commutation générales où la vitesse est un facteur critique.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Boîtier : SOD123
  • Tension de claquage répétitive maximale (VRRM) : 100V
  • Courant direct continu maximal (IFM) : 300mA
  • Courant de pointe non répétitif en avant : 2A à 1µs, 1A à 1s
  • Dissipation de puissance : 400mW
  • Résistance thermique jonction à l'air ambiant : 315°C/W
  • Plage de température de fonctionnement et de stockage : de -55 à +150°C
  • Tension de claquage inverse : Minimum 100V
  • Tension directe : Jusqu'à 1.25V à 150mA
  • Courant inverse de pointe : Jusqu'à 50µA à 75V, 150°C
  • Capacitance totale : Maximum 2pF
  • Temps de récupération inverse : Maximum 4ns

1N4148W-13-F Fiche technique

1N4148W-13-F fiche technique (PDF)

Substituts de 1N4148W-13-F
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Applications

  • Circuits de commutation haute fréquence
  • Applications de commutation générales

Catégorie

Diode

Informations générales

Les diodes à commutation rapide sont des dispositifs à semi-conducteurs qui permettent au courant de circuler dans une seule direction et peuvent couper rapidement le flux de courant lorsqu'elles sont inversées. Elles se caractérisent par leur capacité à passer de l'état conducteur à l'état non conducteur et vice versa en un court laps de temps, typiquement de nanosecondes à microsecondes. Cela les rend adaptées aux applications de commutation à haute vitesse dans les circuits numériques et analogiques.

Lors de la sélection d'une diode de commutation rapide, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension inverse maximale, le courant direct, la dissipation de puissance, le temps de récupération inverse et le type de boîtier. Ces spécifications déterminent l'adéquation de la diode pour des applications spécifiques, incluant le traitement de signal, la gestion de puissance et les circuits de protection.

Le temps de récupération inverse (trr) est particulièrement important dans les applications à haute vitesse, car il affecte la vitesse de commutation de la diode. Des valeurs de trr plus faibles indiquent des capacités de commutation plus rapides. De plus, le type de boîtier influence la gestion thermique et l'intégration physique de la diode dans les cartes de circuit.

Les diodes à commutation rapide sont largement utilisées dans une variété d'applications, de l'électronique grand public aux systèmes automobiles, où une commutation rapide est requise. Leur capacité à gérer efficacement les signaux à haute vitesse les rend des composants essentiels dans les conceptions électroniques modernes.

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