1N4148W-13-F: Diode à commutation rapide SOD123, VRRM 100V, IFM 300mA, trr max 4ns
Diodes Inc.

La 1N4148W-13-F de Diodes Inc. est une diode de commutation rapide à montage en surface conçue pour les applications de commutation à grande vitesse. Cette diode présente une faible chute de tension directe et un temps de récupération inverse rapide, ce qui la rend adaptée aux applications haute fréquence. Le boîtier SOD123 est optimisé pour les processus d'insertion automatisés, améliorant l'efficacité de la production.

Les attributs clés incluent une tension inverse répétitive maximale (VRRM) de 100V, un courant continu direct (IFM) de 300mA et un temps de recouvrement inverse (trr) allant jusqu'à 4ns. Ces spécifications font du 1N4148W-13-F un choix idéal pour les applications de commutation à usage général où la vitesse est un facteur critique.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Boîtier : SOD123
  • Tension inverse répétitive maximale (VRRM) : 100V
  • Courant direct continu (IFM) : 300mA
  • Courant de surcharge direct de pointe non répétitif : 2A à 1µs, 1A à 1s
  • Dissipation de puissance : 400mW
  • Résistance thermique jonction à air ambiant : 315°C/W
  • Plage de température de fonctionnement et de stockage : -55 à +150°C
  • Tension de claquage inverse : Minimum 100V
  • Tension directe : Jusqu'à 1,25V à 150mA
  • Courant inverse de pointe : Jusqu'à 50µA à 75V, 150°C
  • Capacité totale : Maximum 2pF
  • Temps de recouvrement inverse : Maximum 4ns

Fiche technique 1N4148W-13-F

Fiche technique 1N4148W-13-F (PDF)

Substituts pour 1N4148W-13-F
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour 1N4148W-13-F, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Circuits de commutation haute fréquence
  • Applications de commutation à usage général

Catégorie

Diode

Informations générales

Les diodes à commutation rapide sont des dispositifs semi-conducteurs qui permettent au courant de circuler dans une direction et peuvent couper le flux de courant rapidement lorsqu'il est inversé. Elles se caractérisent par leur capacité à passer de l'état conducteur à l'état non conducteur et vice versa en un temps très court, généralement de l'ordre de la nanoseconde à la microseconde. Cela les rend adaptées aux applications de commutation à grande vitesse dans les circuits numériques et analogiques.

Lors de la sélection d'une diode à commutation rapide, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension inverse maximale, le courant direct, la dissipation de puissance, le temps de recouvrement inverse et le type de boîtier. Ces spécifications déterminent l'adéquation de la diode pour des applications spécifiques, y compris le traitement du signal, la gestion de l'alimentation et les circuits de protection.

Le temps de recouvrement inverse (trr) est particulièrement important dans les applications à grande vitesse, car il affecte la vitesse de commutation de la diode. Des valeurs trr plus faibles indiquent des capacités de commutation plus rapides. De plus, le type de boîtier influence la gestion thermique et l'intégration physique de la diode dans les circuits imprimés.

Les diodes à commutation rapide sont largement utilisées dans une variété d'applications, de l'électronique grand public aux systèmes automobiles, où une commutation rapide est requise. Leur capacité à gérer efficacement les signaux à haute vitesse en fait des composants essentiels dans les conceptions électroniques modernes.

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