BAT54HT1G: Diode barrière Schottky, 30 V, SOD-323, commutation rapide
onsemi

La BAT54HT1G est une diode à barrière Schottky d'onsemi, conçue pour les applications nécessitant des vitesses de commutation rapides. Sa construction permet des tensions directes extrêmement faibles, réduisant considérablement les pertes par conduction pendant le fonctionnement. Cela la rend bien adaptée aux applications de commutation à grande vitesse, à la protection des circuits et à l'écrêtage de tension.

Logé dans un boîtier miniature SOD-323, le BAT54HT1G est optimisé pour les applications à espace restreint, telles que les appareils portables et de poche. Sa faible tension directe de 0,35V (typique à IF = 10 mA) et son temps de récupération inverse rapide garantissent des performances efficaces dans une variété de circuits. De plus, la diode est qualifiée AEC-Q101, ce qui la rend adaptée aux applications automobiles et autres scénarios nécessitant des normes de fiabilité strictes.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Boîtier : SOD-323
  • Tension inverse (VR) : 30 V
  • Tension directe (VF) : 0,35 V (typique à IF = 10 mA)
  • Courant direct (IF) : 200 mA
  • Courant direct de pointe non répétitif (IFSM) : 600 mA
  • Résistance thermique, jonction-ambiante (RθJA) : 635 °C/W
  • Plage de température de fonctionnement : -55 °C à +150 °C

Fiche technique BAT54HT1G

Fiche technique BAT54HT1G (PDF)

Substituts pour BAT54HT1G
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour BAT54HT1G, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Circuits de commutation à grande vitesse
  • Protection de circuit
  • Écrêtage de tension
  • Appareils portables et de poche

Catégorie

Diodes

Informations générales

Les diodes à barrière Schottky sont des dispositifs semi-conducteurs qui présentent une faible chute de tension directe et des caractéristiques de commutation rapide. Elles sont largement utilisées dans divers circuits électroniques pour des applications telles que le redressement, la limitation de tension et la protection contre la tension inverse. La faible chute de tension directe des diodes Schottky les rend très efficaces dans les applications de conversion de puissance, réduisant la dissipation thermique et améliorant les performances globales du système.

Lors de la sélection d'une diode Schottky, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension inverse maximale, la capacité de courant direct, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques. Le choix de la diode dépendra des exigences spécifiques de l'application, y compris la plage de tension de fonctionnement, la capacité de gestion du courant et les contraintes d'espace.

Les diodes Schottky conviennent aux applications haute fréquence en raison de leur vitesse de commutation rapide. Cette caractéristique est bénéfique dans les circuits qui nécessitent une transition rapide entre les états conducteur et non conducteur, comme dans les alimentations à découpage et les redresseurs haute fréquence.

En plus de leurs performances électriques, la taille physique et le type de boîtier de la diode sont également des considérations importantes dans la conception de circuits. Des dispositifs comme le BAT54HT1G, emballés dans un format compact SOD-323, sont particulièrement utiles dans les applications à espace restreint où l'utilisation efficace de l'espace PCB est critique.

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