NSVBAT54HT1G: Diode barrière Schottky, 30V, 200mA, SOD-323, commutation rapide
onsemi

La NSVBAT54HT1G d'onsemi est une diode à barrière Schottky conçue pour les applications de commutation à haute vitesse, la protection de circuit et l'écrêtage de tension. Elle présente une tension directe extrêmement faible, réduisant considérablement la perte de conduction, ce qui la rend adaptée aux applications à haute efficacité. Le boîtier miniature SOD-323 à montage en surface est idéal pour les applications portables et manuelles où l'espace est limité.

Cette diode se caractérise par sa vitesse de commutation rapide et sa faible tension directe de typiquement 0,35V à 10mA de courant direct. Elle est qualifiée pour les applications automobiles (AEC-Q101) et est compatible PPAP, indiquant sa fiabilité et sa qualité pour les applications critiques. Le dispositif est également sans plomb, sans halogène/sans BFR, et conforme RoHS, s'alignant sur les normes environnementales.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Tension inverse (VR) : 30 V
  • Courant direct (IF) : 200 mA
  • Courant direct de crête non répétitif (IFSM) : 600 mA
  • Faible tension directe : 0,35 V (Typ) @ IF = 10 mA
  • Fuite inverse (IR) : 0,5 μA @ VR = 25 V
  • Capacité totale (CT) : 7,6 pF @ VR = 1,0 V, f = 1,0 MHz
  • Temps de recouvrement inverse (trr) : <5 ns
  • Boîtier : SOD-323

Fiche technique NSVBAT54HT1G

Fiche technique NSVBAT54HT1G (PDF)

Substituts pour NSVBAT54HT1G
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour NSVBAT54HT1G, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Circuits de commutation haute vitesse
  • Protection de circuit
  • Écrêtage de tension

Catégorie

Diodes

Informations générales

Les diodes à barrière Schottky sont des dispositifs semi-conducteurs conçus pour conduire le courant dans une seule direction, comme les autres diodes, mais avec quelques avantages distincts. Elles sont connues pour leur faible chute de tension directe et leurs capacités de commutation rapide. Ces caractéristiques rendent les diodes Schottky particulièrement utiles dans les circuits d'alimentation à haut rendement, les applications RF et comme redresseurs dans les onduleurs basse tension et haute fréquence.

Lors de la sélection d'une diode Schottky pour une application spécifique, il est important de prendre en compte des paramètres tels que la tension inverse maximale, le courant direct, la dissipation de puissance, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques. La faible chute de tension directe des diodes Schottky réduit la perte de puissance, ce qui les rend adaptées aux applications où l'efficacité est critique. Cependant, elles ont généralement des courants de fuite inverse plus élevés que les autres diodes, ce qui peut être un facteur limitant dans certaines applications.

La vitesse de commutation rapide des diodes Schottky est bénéfique pour les applications haute fréquence, mais il est important de s'assurer que le dispositif peut gérer le courant requis sans surchauffe. Des stratégies de gestion thermique peuvent être nécessaires dans les applications de haute puissance. De plus, le type et la taille du boîtier peuvent influencer les performances thermiques et l'adéquation aux conceptions compactes.

Dans l'ensemble, les diodes Schottky sont des composants polyvalents qui peuvent améliorer l'efficacité et les performances dans une large gamme de circuits électroniques. Comprendre leurs caractéristiques et leurs limites est essentiel pour sélectionner la bonne diode pour votre application.

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