NSVBAT54HT1G: Diode à barrière Schottky, 30V, 200mA, SOD-323, commutation rapide
onsemi

Le NSVBAT54HT1G de onsemi est une diode à barrière Schottky conçue pour les applications de commutation rapide, la protection des circuits et la limitation de tension. Elle présente une tension directe extrêmement faible, réduisant considérablement les pertes de conduction, ce qui la rend adaptée aux applications à haute efficacité. Le boîtier miniature SOD-323 monté en surface est idéal pour les applications portables et de poche où l'espace est limité.

Cette diode est caractérisée par sa vitesse de commutation rapide et sa faible tension directe de typiquement 0.35V à un courant direct de 10mA. Elle est qualifiée pour les applications automobiles (AEC-Q101) et est capable de PPAP, indiquant sa fiabilité et sa qualité pour des applications critiques. Le dispositif est également sans plomb, sans halogène/BFR et conforme RoHS, en accord avec les normes environnementales.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Tension inverse (VR): 30V
  • Courant direct (IF): 200mA
  • Courant direct de crête non répétitif (IFSM): 600mA
  • Faible tension directe: 0,35V (Typ) @ IF = 10mA
  • Courant de fuite inverse (IR): 0,5μA @ VR = 25V
  • Capacité totale (CT): 7,6pF @ VR = 1,0V, f = 1,0MHz
  • Temps de récupération inverse (trr): <5ns
  • Boîtier: SOD-323

NSVBAT54HT1G Fiche technique

NSVBAT54HT1G fiche technique (PDF)

Substituts de NSVBAT54HT1G
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Applications

  • Circuits de commutation à haute vitesse
  • Protection des circuits
  • Serrage de tension

Catégorie

Diodes

Informations générales

Les diodes à barrière Schottky sont des dispositifs semi-conducteurs conçus pour conduire le courant dans une direction, comme d'autres diodes, mais avec quelques avantages distincts. Elles sont connues pour leur faible chute de tension directe et leurs capacités de commutation rapide. Ces caractéristiques rendent les diodes Schottky particulièrement utiles dans les circuits d'alimentation à haute efficacité, les applications RF et comme redresseurs dans les onduleurs basse tension et haute fréquence.

Lors du choix d'une diode Schottky pour une application spécifique, il est important de considérer des paramètres tels que la tension inverse maximale, le courant direct, la dissipation de puissance, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques. La faible chute de tension directe des diodes Schottky réduit les pertes de puissance, ce qui les rend adaptées aux applications où l'efficacité est essentielle. Cependant, elles ont généralement des courants de fuite inverses plus élevés que d'autres diodes, ce qui peut être un facteur limitant dans certaines applications.

La vitesse de commutation rapide des diodes Schottky est bénéfique pour les applications à haute fréquence, mais il est important de s'assurer que le dispositif peut gérer le courant requis sans surchauffer. Des stratégies de gestion thermique peuvent être nécessaires dans les applications à haute puissance. De plus, le type et la taille du boîtier peuvent influencer les performances thermiques et la compatibilité avec les conceptions compactes.

Dans l'ensemble, les diodes Schottky sont des composants polyvalents qui peuvent améliorer l'efficacité et les performances dans une large gamme de circuits électroniques. Comprendre leurs caractéristiques et leurs limitations est essentiel pour sélectionner la diode appropriée à votre application.

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