BSS138NL6327: Transistor tín hiệu nhỏ SIPMOS kênh N, 60V, 0.23A, 3.5Ω
Infineon

BSS138NL6327 là một Transistor Hiệu ứng Trường (FET) chế độ tăng cường kênh N được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng chuyển mạch. Nó có điện áp cực máng-nguồn (VDS) là 60V và dòng điện cực máng liên tục (ID) là 0.23A ở 25°C, làm cho nó phù hợp với nhiều ứng dụng công suất thấp. Thiết bị được đặc trưng bởi điện trở trạng thái bật thấp (RDS(on)) tối đa 3.5Ω, giúp nâng cao hiệu quả hoạt động của mạch.

Transistor này được tối ưu hóa cho điều khiển mức logic, cho phép nó được điều khiển trực tiếp bởi các mạch logic mà không cần thêm bộ dịch mức. Xếp hạng dv/dt và độ nhạy ESD loại 0 làm cho nó mạnh mẽ trong các môi trường đòi hỏi khắt khe. BSS138NL6327 cũng đáng chú ý vì tuân thủ môi trường, không chứa chì (Pb-free), tuân thủ RoHS và không chứa halogen, ngoài ra còn đạt tiêu chuẩn AEC Q101 cho các ứng dụng ô tô.

Các thông số kỹ thuật và tính năng chính

  • Điện áp Drain-Source (VDS): 60V
  • Dòng Drain liên tục (ID): 0.23A tại 25°C
  • Dòng Drain xung (ID,pulse): 0.92A
  • Điện trở dẫn (RDS(on)): Tối đa 3.5Ω
  • Điện áp Gate-Source (VGS): ±20V
  • Công suất tiêu tán (Ptot): 0.36W tại 25°C
  • Nhiệt độ hoạt động và lưu trữ: -55 đến 150°C
  • Đặc tính động: Điện dung đầu vào (Ciss) 32-41pF, Điện dung đầu ra (Coss) 7.2-9.5pF, Điện dung truyền ngược (Crss) 2.8-3.8pF

Bảng dữ liệu BSS138NL6327

Bảng dữ liệu BSS138NL6327 (PDF)

BSS138NL6327 Linh kiện thay thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể dùng làm vật thay thế cho BSS138NL6327, các linh kiện phổ biến nhất trước tiên

Ứng dụng

  • Các ứng dụng chuyển mạch
  • Mạch điều khiển mức logic
  • Điện tử ô tô
  • Quản lý năng lượng

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

Transistor hiệu ứng trường (FET) là một loại transistor được sử dụng trong các mạch điện tử để chuyển mạch hoặc khuếch đại tín hiệu. FET được đặc trưng bởi hoạt động điều khiển bằng điện áp, trái ngược với Transistor lưỡng cực (BJT) được điều khiển bằng dòng điện. Điều này làm cho FET đặc biệt hữu ích trong các ứng dụng mong muốn trở kháng đầu vào cao.

Khi chọn FET cho một ứng dụng cụ thể, các cân nhắc quan trọng bao gồm điện áp cực máng-nguồn (VDS), dòng điện cực máng (ID), điện trở trạng thái bật (RDS(on)) và điện áp cực cổng-nguồn (VGS). Các thông số này xác định khả năng xử lý công suất của FET và hiệu quả của nó trong mạch. Ngoài ra, các đặc tính nhiệt và độ nhạy ESD cũng rất quan trọng để đảm bảo độ tin cậy và tuổi thọ của thiết bị trong các điều kiện hoạt động khác nhau.

FET được sử dụng rộng rãi trong nhiều ứng dụng, từ các công tắc đơn giản đến các mạch logic phức tạp và hệ thống quản lý năng lượng. Mức tiêu thụ điện năng thấp, tốc độ chuyển mạch cao và khả năng tương thích với các tín hiệu mức logic khiến chúng đặc biệt phù hợp với các thiết bị điện tử hiện đại.

Tóm lại, khi chọn FET, các kỹ sư phải xem xét cẩn thận các đặc tính điện, hiệu suất nhiệt và sự phù hợp của thiết bị cho ứng dụng dự kiến. Điều này đảm bảo hiệu suất tối ưu và độ tin cậy của hệ thống điện tử.

Chỉ số phổ biến PartsBox

  • Doanh nghiệp: 1/10
  • Sở thích: 0/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components