BSS138-7-F: MOSFET chế độ tăng cường kênh N, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

BSS138-7-F là một MOSFET Kênh N Chế độ Tăng cường được thiết kế cho các ứng dụng quản lý năng lượng hiệu suất cao. Nó có điện trở dẫn thấp (RDS(ON)) là 3.5Ω tại VGS = 10V, giúp giảm thiểu tổn thất điện năng trong khi vẫn duy trì hiệu suất chuyển mạch vượt trội. Linh kiện này được đặc trưng bởi điện áp ngưỡng cổng thấp, tốc độ chuyển mạch nhanh và rò rỉ đầu vào/đầu ra thấp, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch hệ thống và tải.

MOSFET này được đóng gói trong vỏ SOT23 nhỏ, cung cấp giải pháp nhỏ gọn cho các thiết kế hạn chế về không gian. Nó hoàn toàn tuân thủ RoHS và được chỉ định là thiết bị "Xanh", cho biết nó không chứa halogen và antimon. BSS138-7-F lý tưởng cho các kỹ sư đang tìm kiếm một công tắc đáng tin cậy với mức tiêu thụ điện năng thấp và hiệu quả chuyển mạch cao.

Các thông số kỹ thuật và tính năng chính

  • Điện áp Drain-Source (VDSS): 50V
  • Dòng Drain (ID): 200mA
  • Điện trở bật tĩnh Drain-Source (RDS(ON)): 3.5Ω tại VGS = 10V
  • Điện áp ngưỡng Gate (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Điện dung đầu vào (Ciss): 50pF
  • Công suất tiêu tán (PD): 300mW
  • Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -55 đến +150°C

Bảng dữ liệu BSS138-7-F

Bảng dữ liệu BSS138-7-F (PDF)

BSS138-7-F Linh kiện thay thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể dùng làm vật thay thế cho BSS138-7-F, các linh kiện phổ biến nhất trước tiên

Ứng dụng

  • Ứng dụng chuyển mạch Hệ thống/Tải
  • Quản lý năng lượng hiệu suất cao

Danh mục

Bóng bán dẫn (Transistors)

Thông tin chung

MOSFET Chế độ Tăng cường Kênh N là một loại MOSFET được thiết kế để chuyển mạch các tín hiệu điện tử. Các linh kiện này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng quản lý năng lượng do hiệu quả và khả năng xử lý mức công suất đáng kể của chúng. MOSFET Kênh N được đặc trưng bởi khả năng dẫn dòng điện giữa cực máng (drain) và cực nguồn (source) khi một điện áp dương được đặt vào cực cổng (gate) so với cực nguồn.

Khi chọn MOSFET Kênh N, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp cực máng-nguồn (VDSS), dòng điện cực máng (ID) và điện trở bật tĩnh cực máng-nguồn (RDS(ON)). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các mức công suất cần thiết và hiệu quả trong mạch. Điện áp ngưỡng cực cổng (VGS(TH)) cũng rất quan trọng, vì nó ảnh hưởng đến điện áp cần thiết để bật thiết bị.

MOSFET kênh N được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm mạch cấp nguồn, bộ điều khiển động cơ và làm công tắc trong các hệ thống quản lý năng lượng hiệu quả cao. Điện trở bật thấp và khả năng chuyển mạch nhanh khiến chúng phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu xử lý và kiểm soát năng lượng hiệu quả.

Ngoài các thông số kỹ thuật, bao bì và quản lý nhiệt cũng là những cân nhắc quan trọng. Các thiết bị như BSS138-7-F, với bao bì SOT23 nhỏ gọn, cung cấp giải pháp cho các ứng dụng hạn chế về không gian trong khi vẫn đảm bảo tản nhiệt đầy đủ để hoạt động đáng tin cậy.

Chỉ số phổ biến PartsBox

  • Doanh nghiệp: 5/10
  • Sở thích: 3/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components