BSS138-7-F: MOSFET chế độ tăng cường N-Channel, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

BSS138-7-F là một MOSFET chế độ tăng cường kênh N được thiết kế cho các ứng dụng quản lý công suất hiệu quả. Nó có điện trở trên thấp (RDS(ON)) là 3.5Ω tại VGS = 10V, giảm thiểu mất mát công suất trong khi duy trì hiệu suất chuyển mạch xuất sắc. Thành phần này được đặc trưng bởi điện áp ngưỡng cổng thấp, tốc độ chuyển mạch nhanh và rò rỉ đầu vào/đầu ra thấp, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch hệ thống và tải.

MOSFET này được đóng gói trong vỏ SOT23 nhỏ gọn, cung cấp giải pháp tiết kiệm không gian cho các thiết kế có hạn chế về không gian. Nó tuân thủ hoàn toàn RoHS và được chỉ định là thiết bị "Xanh", có nghĩa là nó không chứa halogen và antimon. BSS138-7-F là lựa chọn lý tưởng cho các kỹ sư tìm kiếm một công tắc đáng tin cậy với mức tiêu thụ điện năng thấp và hiệu suất chuyển mạch cao.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp nguồn-drain (VDSS): 50V
  • Dòng điện drain (ID): 200mA
  • Điện trở nguồn-drain tĩnh (RDS(ON)): 3.5Ω tại VGS = 10V
  • Điện áp ngưỡng cổng (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Dung lượng đầu vào (Ciss): 50pF
  • Công suất tiêu thụ (PD): 300mW
  • Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -55 đến +150°C

BSS138-7-F Bảng dữ liệu

BSS138-7-F bảng dữ liệu (PDF)

BSS138-7-F Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho BSS138-7-F, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Ứng dụng công tắc hệ thống/tải
  • Quản lý công suất hiệu quả cao

Danh mục

Transistor

Thông tin chung

MOSFET kênh N chế độ tăng cường là một loại MOSFET được thiết kế cho việc chuyển mạch các tín hiệu điện tử. Các linh kiện này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng quản lý năng lượng do hiệu quả và khả năng xử lý mức công suất đáng kể của chúng. MOSFET kênh N được đặc trưng bởi khả năng dẫn dòng giữa cực thoát và nguồn khi một điện áp dương được áp dụng lên cực cổng so với nguồn.

Khi chọn một MOSFET kênh N, các kỹ sư nên x Considerations các thông số như điện áp nguồn-drain (VDSS), dòng drain (ID), và điện trở nguồn-drain tĩnh (RDS(ON)). Những thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các mức công suất và hiệu quả trong mạch. Điện áp ngưỡng cổng (VGS(TH)) cũng quan trọng, vì nó ảnh hưởng đến điện áp cần thiết để bật thiết bị.

Các MOSFET kênh N được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm mạch nguồn, bộ điều khiển động cơ và là công tắc trong các hệ thống quản lý công suất hiệu quả cao. Điện trở bật thấp và khả năng chuyển mạch nhanh của chúng làm cho chúng phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi khả năng xử lý và kiểm soát công suất hiệu quả.

Ngoài các thông số kỹ thuật, bao bì và quản lý nhiệt cũng là những yếu tố quan trọng cần xem xét. Các thiết bị như BSS138-7-F, với gói SOT23 gọn nhẹ của mình, cung cấp một giải pháp cho các ứng dụng có không gian hạn chế trong khi đảm bảo tản nhiệt đủ cho hoạt động đáng tin cậy.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 5/10
  • Sở thích: 3/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components