BSS138 là một Transistor Hiệu ứng Trường (FET) kênh N chế độ tăng cường được sản xuất bằng công nghệ DMOS mật độ cao độc quyền của onsemi. Công nghệ này cho phép BSS138 đạt được điện trở trạng thái bật thấp trong khi vẫn duy trì hiệu suất chuyển mạch nhanh, đáng tin cậy và bền bỉ. Thiết bị được tối ưu hóa cho các ứng dụng điện áp thấp, dòng thấp, làm cho nó phù hợp cho điều khiển động cơ servo nhỏ, trình điều khiển cổng MOSFET công suất, và các ứng dụng chuyển mạch khác.
Với gói gắn bề mặt tiêu chuẩn công nghiệp SOT-23, BSS138 được thiết kế để giảm thiểu điện trở khi mở, với các giá trị là 3.5Ω tại VGS = 10V và 6.0Ω tại VGS = 4.5V. Điện trở khi mở thấp này được đạt được thông qua thiết kế tế bào mật độ cao của onsemi, góp phần vào hiệu quả của thiết bị trong các ứng dụng của nó. Hơn nữa, BSS138 được đặc trưng bởi độ bền và độ tin cậy của nó, đảm bảo hiệu suất trong một loạt các điều kiện hoạt động.
Thiết bị cũng được chú ý là không chứa Pb và không Halogen, phù hợp với các tiêu chuẩn môi trường hiện tại cho các linh kiện điện tử. Điều này làm cho BSS138 trở thành một lựa chọn thân thiện với môi trường cho các kỹ sư muốn thiết kế các sản phẩm bền vững.
Transistor
Transistor Hiệu Ứng Trường (FET) là một loại transistor được sử dụng trong các mạch điện tử để kiểm soát dòng điện. Chúng là các linh kiện chính trong nhiều ứng dụng, từ quản lý công suất đến khuếch đại tín hiệu. FET hoạt động bằng cách sử dụng một trường điện để kiểm soát hình dạng và do đó là độ dẫn của một 'kênh' trong một vật liệu bán dẫn. Điều này cho phép chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu điện tử một cách hiệu quả.
Khi chọn một FET cho một ứng dụng cụ thể, một số thông số quan trọng cần được xem xét. Những thông số này bao gồm điện áp nguồn-drain, chỉ ra điện áp tối đa mà FET có thể xử lý giữa các cực nguồn và drain của nó; điện áp cổng-nguồn, là sự chênh lệch điện áp cần thiết tại cổng để làm cho FET dẫn điện; và dòng drain, là dòng điện tối đa có thể chảy qua FET. Điện trở trạng thái bật cũng rất quan trọng, vì nó ảnh hưởng đến hiệu suất của FET bằng cách xác định lượng công suất bị mất dưới dạng nhiệt khi FET dẫn điện.
Các FET kênh N, như BSS138, đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng cần quản lý và chuyển mạch công suất hiệu quả. Chúng thường được sử dụng trong các ứng dụng điện áp thấp, dòng điện thấp do khả năng kiểm soát dòng điện hiệu quả với mất mát công suất tối thiểu. Khi chọn một FET kênh N, các kỹ sư cần xem xét các thông số của thiết bị như điện áp và dòng điện định mức, điện trở trạng thái bật, tốc độ chuyển mạch, và hiệu suất nhiệt để đảm bảo nó đáp ứng yêu cầu của ứng dụng.
BSS138, với điện trở dẫn thấp và thiết kế tế bào mật độ cao của mình, là một ví dụ về FET kênh N được thiết kế để hoạt động hiệu quả trong các ứng dụng điện áp thấp, dòng thấp. Gói SOT-23 nhỏ gọn và hiệu suất bền bỉ, đáng tin cậy của nó làm cho nó phù hợp với nhiều ứng dụng, bao gồm điều khiển động cơ và chuyển mạch công suất.