BSS138 là Transistor hiệu ứng trường (FET) chế độ tăng cường Kênh N được sản xuất bằng công nghệ DMOS mật độ tế bào cao, độc quyền của onsemi. Công nghệ này cho phép BSS138 đạt được điện trở trạng thái bật thấp trong khi vẫn duy trì hiệu suất chuyển mạch nhanh, đáng tin cậy và chắc chắn. Thiết bị được tối ưu hóa cho các ứng dụng điện áp thấp, dòng điện thấp, làm cho nó phù hợp với điều khiển động cơ servo nhỏ, trình điều khiển cổng MOSFET công suất và các ứng dụng chuyển mạch khác.
Với gói gắn bề mặt SOT-23 tiêu chuẩn công nghiệp nhỏ gọn, BSS138 được thiết kế để giảm thiểu điện trở trạng thái bật, với các giá trị 3.5Ω tại VGS = 10V và 6.0Ω tại VGS = 4.5V. Điện trở trạng thái bật thấp này đạt được thông qua thiết kế tế bào mật độ cao của onsemi, góp phần vào hiệu quả của thiết bị trong các ứng dụng của nó. Hơn nữa, BSS138 được đặc trưng bởi sự chắc chắn và độ tin cậy, đảm bảo hiệu suất trong nhiều điều kiện hoạt động.
Thiết bị cũng được ghi nhận là không chứa chì (Pb-free) và không chứa Halogen, phù hợp với các tiêu chuẩn môi trường hiện hành cho các linh kiện điện tử. Điều này làm cho BSS138 trở thành một lựa chọn thân thiện với môi trường cho các kỹ sư muốn thiết kế các sản phẩm bền vững.
Transistor
Transistor hiệu ứng trường (FET) là một loại transistor được sử dụng trong các mạch điện tử để điều khiển dòng điện. Chúng là các thành phần chính trong một loạt các ứng dụng, từ quản lý năng lượng đến khuếch đại tín hiệu. FET hoạt động bằng cách sử dụng điện trường để kiểm soát hình dạng và do đó là độ dẫn điện của một 'kênh' trong vật liệu bán dẫn. Điều này cho phép chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu điện tử hiệu quả.
Khi chọn FET cho một ứng dụng cụ thể, một số thông số rất quan trọng cần xem xét. Chúng bao gồm điện áp cực máng-cực nguồn, cho biết điện áp tối đa mà FET có thể xử lý giữa các cực máng và cực nguồn của nó; điện áp cực cổng-cực nguồn, là chênh lệch điện áp cần thiết tại cực cổng để làm cho FET dẫn điện; và dòng điện cực máng, là dòng điện tối đa có thể chạy qua FET. Điện trở trạng thái bật cũng rất quan trọng, vì nó ảnh hưởng đến hiệu suất của FET bằng cách xác định lượng điện năng bị mất dưới dạng nhiệt khi FET đang dẫn điện.
FET kênh N, như BSS138, đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu quản lý năng lượng và chuyển mạch hiệu quả. Chúng thường được sử dụng trong các ứng dụng điện áp thấp, dòng điện thấp do khả năng kiểm soát dòng điện hiệu quả với tổn thất điện năng tối thiểu. Khi chọn FET kênh N, các kỹ sư phải xem xét định mức điện áp và dòng điện của thiết bị, điện trở trạng thái bật, tốc độ chuyển mạch và hiệu suất nhiệt để đảm bảo nó đáp ứng các yêu cầu của ứng dụng.
BSS138, với điện trở trạng thái bật thấp và thiết kế tế bào mật độ cao, là một ví dụ về FET kênh N được thiết kế cho hiệu suất hiệu quả trong các ứng dụng điện áp thấp, dòng điện thấp. Gói SOT-23 nhỏ gọn và hiệu suất bền bỉ, đáng tin cậy làm cho nó phù hợp với nhiều ứng dụng, bao gồm điều khiển động cơ và chuyển mạch nguồn.