BSS138LT3G từ onsemi là một MOSFET kênh N hoạt động tối đa 200 mA và 50 V, được đóng gói trong một gói SOT-23 nhỏ gọn. Thành phần này được thiết kế để xử lý các yêu cầu công suất thấp đến trung bình trong các mạch điện tử, làm cho nó phù hợp cho một loạt các ứng dụng.
Các đặc điểm chính bao gồm điện áp ngưỡng thấp (VGS(th)) từ 0.85 V đến 1.5 V, cho phép hoạt động hiệu quả trong các tình huống điện áp thấp. Ngoài ra, linh kiện được đặc trưng bởi điện trở dòng-tiến đến nguồn tĩnh thấp (RDS(on)) là 3.5 Ω khi VGS là 5.0 V và ID là 200 mA, góp phần vào hiệu quả dẫn dòng của nó. BSS138LT3G cũng nổi bật về độ bền, với phạm vi nhiệt độ hoạt động và lưu trữ tối đa từ -55 đến 150 °C, đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy trong các điều kiện môi trường khác nhau.
Transistor
MOSFET N-Channel là một loại transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử cho mục đích chuyển mạch và khuếch đại. Các linh kiện này được đặc trưng bởi khả năng kiểm soát dòng điện cao bằng một điện áp tương đối thấp, làm cho chúng thiết yếu trong quản lý năng lượng và ứng dụng xử lý tín hiệu.
Khi chọn một MOSFET kênh N, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp cực dẫn đến cực nguồn (VDSS), điện áp cực cổng đến cực nguồn (VGS), dòng điện cực dẫn (ID), và điện trở cực dẫn đến cực nguồn tĩnh (RDS(on)). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý điện áp và dòng điện trong các ứng dụng cụ thể, cũng như hiệu quả và đặc tính tản nhiệt của nó.
Một khía cạnh quan trọng khác cần xem xét là điện áp ngưỡng (VGS(th)), chỉ ra điện áp cổng-đến-nguồn tối thiểu cần thiết để bật thiết bị. Một điện áp ngưỡng thấp có thể có lợi trong các ứng dụng điện áp thấp, nơi hiệu suất năng lượng là quan trọng.
Loại gói cũng đóng một vai trò quan trọng, đặc biệt là trong các thiết kế hạn chế không gian. Ví dụ, gói SOT-23 của BSS138LT3G cung cấp sự cân bằng giữa sự nhỏ gọn và hiệu suất nhiệt, làm cho nó phù hợp cho một loạt các ứng dụng, bao gồm các thiết bị di động và chạy bằng pin.