BSS138LT3G từ onsemi là MOSFET kênh N hoạt động ở mức tối đa 200 mA và 50 V, được gói gọn trong gói SOT-23 nhỏ gọn. Thành phần này được thiết kế để xử lý các yêu cầu công suất thấp đến trung bình trong các mạch điện tử, làm cho nó phù hợp với nhiều ứng dụng.
Các tính năng chính bao gồm điện áp ngưỡng thấp (VGS(th)) dao động từ 0.85 V đến 1.5 V, cho phép hoạt động hiệu quả trong các tình huống điện áp thấp. Ngoài ra, thiết bị được đặc trưng bởi điện trở bật cực máng-nguồn tĩnh thấp (RDS(on)) là 3.5 Ω khi VGS là 5.0 V và ID là 200 mA, góp phần vào hiệu quả dẫn dòng của nó. BSS138LT3G cũng đáng chú ý vì độ bền của nó, với dải nhiệt độ hoạt động và lưu trữ tối đa từ -55 đến 150 °C, đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy trong các điều kiện môi trường khác nhau.
Transistor
MOSFET kênh N là một loại transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử cho mục đích chuyển mạch và khuếch đại. Các linh kiện này được đặc trưng bởi khả năng kiểm soát dòng điện cao bằng cách sử dụng điện áp tương đối thấp, khiến chúng trở nên thiết yếu trong các ứng dụng quản lý năng lượng và xử lý tín hiệu.
Khi chọn MOSFET kênh N, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp cực máng-cực nguồn (VDSS), điện áp cực cổng-cực nguồn (VGS), dòng điện cực máng (ID) và điện trở bật tĩnh cực máng-cực nguồn (RDS(on)). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý điện áp và dòng điện trong các ứng dụng cụ thể, cũng như hiệu suất và đặc tính tản nhiệt của nó.
Một cân nhắc quan trọng khác là điện áp ngưỡng (VGS(th)), cho biết điện áp cổng-nguồn tối thiểu cần thiết để bật thiết bị. Điện áp ngưỡng thấp hơn có thể là lợi thế trong các ứng dụng điện áp thấp, nơi hiệu quả năng lượng là rất quan trọng.
Loại vỏ cũng đóng một vai trò quan trọng, đặc biệt là trong các thiết kế hạn chế về không gian. Ví dụ, vỏ SOT-23 của BSS138LT3G cung cấp sự cân bằng giữa độ nhỏ gọn và hiệu suất nhiệt, làm cho nó phù hợp với nhiều ứng dụng, bao gồm các thiết bị di động và chạy bằng pin.