BSS138LT1G: MOSFET N-Channel, 200mA, 50V, gói SOT-23

onsemi

BSS138LT1G từ onsemi là một MOSFET N-Channel được thiết kế cho quản lý năng lượng hiệu quả trong các thiết bị di động và pin. Nó hoạt động ở dòng điện cực dẫn tối đa liên tục 200mA và điện áp cực dẫn đến cực nguồn 50V. Điện áp ngưỡng thấp của linh kiện (0.85V đến 1.5V) làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng điện áp thấp, tăng cường tiện ích của nó trong các mạch điện tử hiện đại.

MOSFET này có trong gói SOT-23 nhỏ gọn, tối ưu hóa không gian bảng mạch trong các thiết kế đóng gói dày đặc. Nó được đặc trưng bởi một điện trở dẫn tĩnh từ cực dẫn đến cực nguồn là 3.5Ω (tại VGS = 5.0V, ID = 200mA), đảm bảo hoạt động hiệu quả. Thiết bị cũng có đặc điểm chuyển mạch nhanh, với thời gian trễ bật và tắt khoảng 20ns, góp phần vào hiệu suất của nó trong các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao.

• Điện áp Drain-to-Source (VDSS): 50V
• Dòng Drain liên tục (ID): 200mA
• Dòng Drain xung (IDM): 800mA
• Điện trở Drain-to-Source tĩnh (rDS(on)): 3.5Ω
• Điện áp ngưỡng Gate-Source (VGS(th)): 0.85V đến 1.5V
• Tổng công suất tiêu thụ (PD): 225mW
• Phạm vi nhiệt độ hoạt động và lưu trữ: -55°C đến 150°C
• Điện trở nhiệt, Junction-to-Ambient (RθJA): 556°C/W

• Bộ chuyển đổi DC-DC
• Quản lý năng lượng trong thiết bị di động
• Sản phẩm chạy bằng pin như máy tính, máy in, thẻ PCMCIA, điện thoại di động và không dây

Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại (MOSFETs) là một loại transistor được sử dụng để khuếch đại hoặc chuyển mạch tín hiệu điện tử. Chúng là một thành phần thiết yếu trong các mạch điện tử hiện đại, cung cấp trở kháng đầu vào cao và tốc độ chuyển mạch nhanh. MOSFET kênh N, như BSS138LT1G, thường được sử dụng để chuyển mạch tín hiệu điện tử theo hướng âm (hoặc 'hút').

Khi chọn một MOSFET cho thiết kế, một số thông số quan trọng cần xem xét, bao gồm điện áp drain-to-source (VDSS), dòng drain (ID), và điện trở drain-to-source tĩnh (rDS(on)). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các mức công suất yêu cầu và hiệu quả của mạch. Ngoài ra, điện áp ngưỡng gate-source (VGS(th)) là quan trọng để xác định MOSFET có thể được bật dễ dàng ở một điện áp cổng nhất định, ảnh hưởng đến sự phù hợp của thiết bị cho các ứng dụng điện áp thấp.

MOSFET được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng từ quản lý và chuyển đổi công suất đến chuyển mạch tín hiệu. Khả năng kiểm soát hiệu quả dòng điện và điện áp cao với công suất đầu vào tối thiểu làm cho chúng không thể thiếu trong các thiết bị điện tử hiện đại. Lựa chọn gói, như gói SOT-23 cho BSS138LT1G, cũng đóng một vai trò quan trọng trong ứng dụng, ảnh hưởng đến các yếu tố như hiệu suất nhiệt và sử dụng không gian trên bảng mạch.

Tóm lại, khi chọn một MOSFET, điều quan trọng là phải khớp chặt chẽ các thông số kỹ thuật của linh kiện với yêu cầu của ứng dụng. Điều này bao gồm việc xem xét môi trường hoạt động, vì nhiệt độ và quản lý nhiệt có thể ảnh hưởng đáng kể đến hiệu suất và độ tin cậy của MOSFET.