SZNUP2105LT1G từ onsemi là một diode bảo vệ ESD dòng kép được thiết kế đặc biệt để bảo vệ các bộ thu phát CAN trong các mạng tốc độ cao và chịu lỗi chống lại sự phóng tĩnh điện (ESD) và các sự kiện điện áp quá độ khác. Linh kiện này được đặt trong gói SOT-23 nhỏ gọn, cung cấp giải pháp tiết kiệm chi phí để nâng cao độ tin cậy của hệ thống và đáp ứng các yêu cầu EMI nghiêm ngặt.
Với công suất tiêu tán cực đại 350 W trên mỗi đường dây và dòng rò ngược thấp (< 100 nA), nó đảm bảo tác động tối thiểu đến tính toàn vẹn tín hiệu của đường dữ liệu. Điện dung thấp của nó hỗ trợ tốc độ dữ liệu CAN tốc độ cao, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng yêu cầu truyền dữ liệu mạnh mẽ. Thiết bị tuân thủ một số tiêu chuẩn công nghiệp, bao gồm IEC 61000-4-2 (ESD) ở Mức 4, 30 kV và các xung ISO 7637 khác nhau, làm nổi bật khả năng chịu được các điều kiện quá độ nghiêm trọng.
Điốt
Điốt bảo vệ chống phóng tĩnh điện (ESD) là các linh kiện quan trọng trong việc bảo vệ các mạch điện tử khỏi sự phóng điện đột ngột và bất ngờ. Các điốt này được thiết kế để bảo vệ các linh kiện nhạy cảm bằng cách kẹp các điện áp quá độ ở mức an toàn, ngăn ngừa hư hỏng cho mạch.
Diode bảo vệ ESD đặc biệt quan trọng trong môi trường mà các thiết bị điện tử dễ bị tĩnh điện hoặc các sự kiện điện quá độ khác. Chúng tìm thấy các ứng dụng trong một loạt các lĩnh vực, bao gồm ô tô, điều khiển công nghiệp và mạng truyền thông, nơi độ tin cậy và toàn vẹn dữ liệu là tối quan trọng.
Khi chọn diode bảo vệ ESD, các kỹ sư nên xem xét một số yếu tố, bao gồm điện áp làm việc, công suất tiêu tán xung đỉnh, điện áp kẹp và điện dung. Các thông số này xác định khả năng của diode trong việc bảo vệ mạch mà không ảnh hưởng đáng kể đến tính toàn vẹn của tín hiệu. Loại gói và kích thước cũng là những cân nhắc quan trọng, đặc biệt là trong các thiết kế nhỏ gọn.
SZNUP2105LT1G là ví dụ điển hình cho một diode bảo vệ ESD chuyên dụng được thiết kế cho các ứng dụng bus CAN, cung cấp khả năng bảo vệ mạnh mẽ trong một gói nhỏ gọn. Các thông số kỹ thuật của nó làm cho nó phù hợp để bảo vệ các đường dữ liệu tốc độ cao chống lại ESD và các sự kiện điện áp quá độ khác, đảm bảo giao tiếp đáng tin cậy trong các môi trường khắt khe.