SZNUP2105LT1G từ onsemi là một diode bảo vệ ESD hai đường được thiết kế đặc biệt để bảo vệ các bộ truyền CAN trong các mạng tốc độ cao và chịu lỗi chống lại phóng tĩnh điện (ESD) và các sự kiện điện áp thoáng qua khác. Thành phần này được đóng gói trong gói SOT-23 nhỏ gọn, cung cấp một giải pháp hiệu quả về chi phí để tăng cường độ tin cậy của hệ thống và đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt về EMI.
Với công suất tiêu tán đỉnh 350 W mỗi đường và dòng điện rò ngược thấp (< 100 nA), nó đảm bảo tác động tối thiểu đến tính toàn vẹn tín hiệu của đường dữ liệu. Điện dung thấp của nó hỗ trợ tốc độ dữ liệu CAN cao, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu truyền dữ liệu mạnh mẽ. Thiết bị tuân thủ một số tiêu chuẩn công nghiệp, bao gồm IEC 61000-4-2 (ESD) ở Cấp 4, 30 kV, và các xung ISO 7637 khác nhau, nhấn mạnh khả năng chịu đựng các điều kiện thoáng qua nghiêm trọng.
Diode
Diode bảo vệ phóng tĩnh điện (ESD) là các thành phần quan trọng trong việc bảo vệ các mạch điện tử khỏi các phóng điện điện đột ngột và bất ngờ. Các diode này được thiết kế để bảo vệ các thành phần nhạy cảm bằng cách kẹp các điện áp thoáng qua ở mức an toàn, ngăn ngừa hư hỏng cho mạch.
Diode bảo vệ ESD đặc biệt quan trọng trong các môi trường mà các thiết bị điện tử dễ bị ảnh hưởng bởi tĩnh điện hoặc các sự kiện điện thoáng qua khác. Chúng được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực, bao gồm ô tô, điều khiển công nghiệp, và mạng truyền thông, nơi độ tin cậy và tính toàn vẹn dữ liệu là rất quan trọng.
Khi chọn một diode bảo vệ ESD, các kỹ sư nên xem xét một số yếu tố, bao gồm điện áp làm việc, công suất tiêu tán xung đỉnh, điện áp kẹp và điện dung. Các thông số này xác định khả năng của diode trong việc bảo vệ mạch mà không ảnh hưởng đáng kể đến tính toàn vẹn tín hiệu. Loại và kích thước gói cũng là những yếu tố quan trọng, đặc biệt trong các thiết kế nhỏ gọn.
SZNUP2105LT1G là một diode bảo vệ ESD chuyên dụng được thiết kế cho các ứng dụng CAN bus, cung cấp bảo vệ mạnh mẽ trong một gói nhỏ gọn. Các thông số kỹ thuật của nó làm cho nó phù hợp để bảo vệ các đường dữ liệu tốc độ cao chống lại ESD và các sự kiện điện áp thoáng qua khác, đảm bảo truyền thông tin cậy trong các môi trường khắc nghiệt.