Nexperia tarafından üretilen PMV90ENE, verimli güç kontrolü ve dönüşümü gerektiren çeşitli uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmış 30 V, N-kanallı bir Trench MOSFET'tir. Küçük bir ayak izinde yüksek performans elde etmek için gelişmiş Trench MOSFET teknolojisini kullanan kompakt bir SOT23 (TO-236AB) Yüzeye Monte Cihaz (SMD) plastik paketi içine yerleştirilmiştir.
Bu MOSFET, ek sürücü bileşenlerine ihtiyaç duymadan doğrudan mantık devreleri tarafından sürülmesine olanak tanıyan mantık seviyesi uyumluluğu ile karakterize edilir. Ayrıca, yüksek hızlı ve yüksek frekanslı uygulamalar için uygunluğunu artıran çok hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. Cihaz, statik deşarjdan kaynaklanan hasara karşı koruyan, 2 kV HBM'yi aşan ElektroStatik Deşarj (ESD) koruması içerir.
Transistör
N-kanallı Trench MOSFET'ler, geleneksel düzlemsel MOSFET'lere kıyasla daha yüksek yoğunluk ve verimlilik elde etmek için bir hendek (trench) kapı yapısı kullanan bir Alan Etkili Transistör (FET) türüdür. Bu bileşenler, devrelerdeki güç akışını verimli bir şekilde kontrol etme yetenekleri nedeniyle güç dönüşümü ve yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Bir N-kanallı Trench MOSFET seçerken, mühendisler drenaj-kaynak voltajı (VDS), kapı-kaynak voltajı (VGS), drenaj akımı (ID) ve drenaj-kaynak açık durum direnci (RDSon) gibi parametreleri dikkate almalıdır. Bu parametreler, MOSFET'in belirli bir uygulamada gerekli güç seviyelerini ve anahtarlama frekanslarını idare etme yeteneğini belirler.
Ek olarak, paket tipi ve termal özellikler önemli hususlardır. SOT23 paketi, kompakt boyutu nedeniyle popülerdir ve alan kısıtlaması olan uygulamalar için uygundur. Termal yönetim, aşırı ısınmayı önlemek ve çeşitli koşullar altında güvenilir çalışmayı sağlamak için çok önemlidir.
Son olarak, mantık seviyesi uyumluluğu ve ESD koruması gibi özellikler, devre tasarımını basitleştirmede ve bileşenin dayanıklılığını artırmada faydalıdır.