T2N7002BK,LM(T: N-Kanal MOSFET, 60V, 400mA, SOT23, RDS(ON) 1.05Ω
Toshiba

T2N7002BK, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış Silikon N-Kanal MOSFET'tir. VGS = 10V'da 1.05 Ω (tipik) düşük drenaj-kaynak direnci (RDS(ON)) ile, çeşitli devrelerde verimli güç yönetimi için uygundur. Bileşen, yerden tasarruf sağlayan kompakt SOT23 formunda paketlenmiştir.

Bu MOSFET, dren-kaynak voltajı (VDSS) için 60V'a kadar destekler ve sürekli dren akımı (ID) için 400mA'ya kadar, darbeli dren akımı kapasitesi için 1200mA'ya kadar işleyebilir. Ayrıca, hassas ortamlarda güvenilirliğini artıran 2 kV HBM seviyesinde ESD koruması içerir. T2N7002BK, farklı çalışma koşullarında performans için çeşitli kapı-kaynak voltajları ile optimize edilmiştir.

Ana Özellikler ve Özellikler

  • Drenaj-Kaynak Voltajı (VDSS): 60V
  • Kapı-Kaynak Voltajı (VGSS): ±20V
  • Sürekli Drenaj Akımı (ID): 400mA
  • Darbeli Drenaj Akımı (IDP): 1200mA
  • Drenaj-Kaynak Açık-Direnç (RDS(ON)): VGS = 10V'de 1.05 Ω (tip.)
  • Güç Dağılımı (PD): 320 mW ile 1000 mW arası
  • Kanal Sıcaklığı (Tch): 150°C
  • ESD Koruma: HBM seviyesi 2 kV

T2N7002BK,LM(T Yerine Geçenler
T2N7002BK,LM(T için alternatif eşdeğer parçalar, en popüler parçalar önce

Uygulamalar

  • Yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları

Kategori

MOSFET

Genel bilgiler

MOSFET'ler (Metal-Oksit-Yarıiletken Alan Etkili Transistörler), elektronik tasarımda anahtarlamada ve yükseltmede yüksek verimlilik ve güvenilirlik sunan temel bir bileşendir. Akımın drenaj ve kaynak terminalleri arasındaki iletkenliği voltajla kontrol ederek çalışırlar, bu da onları güç yönetimi, sinyal işleme ve daha fazlası için vazgeçilmez kılar.

Bir MOSFET seçerken, anahtar parametreler arasında akım-kaynak voltajı (VDSS), akım akımı (ID), kapı-kaynak voltajı (VGSS) ve akım-kaynak açık direnci (RDS(ON)) bulunur. Bu parametreler, MOSFET'in yüksek voltajları, akımları idare etme yeteneği ve verimliliğini belirler. Ayrıca, paketleme, termal yönetim ve ESD koruma seviyesi önemli hususlardır.

Yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için, güç kaybını ve ısı üretimini en aza indirmek için düşük RDS(ON) değerine sahip bir MOSFET tercih edilir. Kapı-kaynak voltajı (VGSS) aralığının seçimi de, sürücü devreleriyle uyumluluğu etkiler. Ayrıca, termal özellikleri anlamak ve yeterli ısı dağılımını sağlamak, güvenilir çalışma için kritiktir.

Özetle, doğru MOSFET'i seçmek, elektriksel özellikler, termal özellikler ve uygulama gereksinimleri üzerine dikkatli bir analiz gerektirir. Düşük RDS(ON) ve sağlam koruma özelliklerine sahip T2N7002BK gibi MOSFET'ler, mühendislerin tasarımlarını performans ve güvenilirlik açısından optimize etmeleri için cazip bir seçenek sunar.

PartsBox Popülerlik İndeksi

  • İş: 2/10
  • Hobi: 1/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components