T2N7002BK,LM(T: N-Kanal MOSFET, 60V, 400mA, SOT23, RDS(ON) 1.05Ω
Toshiba

T2N7002BK, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bir Silikon N-Kanal MOSFET'tir. VGS = 10V'de 1.05 Ω (tipik) düşük bir drenaj-kaynak açık direnci (RDS(ON)) sunar, bu da onu çeşitli devrelerde verimli güç yönetimi için uygun hale getirir. Bileşen, kompakt bir SOT23 formunda paketlenmiştir ve alan kısıtlaması olan tasarımlara kolay entegrasyonu kolaylaştırır.

Bu MOSFET, 60V'a kadar bir drenaj-kaynak voltajını (VDSS) destekler ve 1200mA'ya kadar darbeli drenaj akımı kapasitesi ile 400mA'ya kadar sürekli bir drenaj akımını (ID) işleyebilir. Ayrıca, hassas ortamlarda güvenilirliğini artıran 2 kV'luk bir HBM seviyesine sahip ESD koruması içerir. T2N7002BK, farklı çalışma koşullarında çok yönlülük göstererek bir dizi kapı-kaynak voltajıyla performans için optimize edilmiştir.

Temel Özellikler ve Nitelikler

  • Savak-Kaynak Voltajı (VDSS): 60V
  • Kapı-Kaynak Voltajı (VGSS): ±20V
  • Sürekli Savak Akımı (ID): 400mA
  • Darbeli Savak Akımı (IDP): 1200mA
  • Savak-Kaynak Açık Direnci (RDS(ON)): 1.05 Ω (tipik) VGS = 10V'da
  • Güç Dağılımı (PD): 320 mW ila 1000 mW
  • Kanal Sıcaklığı (Tch): 150°C
  • ESD Koruması: HBM seviyesi 2 kV

T2N7002BK,LM(T İkameleri
T2N7002BK,LM(T için ikame olarak hizmet edebilecek eşdeğer alternatif bileşenler, en popüler bileşenler başta olmak üzere

Uygulamalar

  • Yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları

Kategori

MOSFET

Genel bilgiler

MOSFET'ler (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistörler), anahtarlama ve yükseltme görevleri için yüksek verimlilik ve güvenilirlik sunan elektronik tasarımda temel bir bileşendir. Drenaj ve kaynak terminalleri arasındaki iletkenliği voltajla kontrol ederek çalışırlar, bu da onları güç yönetimi, sinyal işleme ve daha fazlası için gerekli kılar.

Bir MOSFET seçerken, temel parametreler arasında drenaj-kaynak gerilimi (VDSS), drenaj akımı (ID), kapı-kaynak gerilimi (VGSS) ve drenaj-kaynak açık direnci (RDS(ON)) bulunur. Bu parametreler, MOSFET'in yüksek voltajları, akımları işleme yeteneğini ve verimliliğini belirler. Ek olarak, paketleme, termal yönetim ve ESD koruma seviyesi önemli hususlardır.

Yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için, güç kaybını ve ısı üretimini en aza indirmek amacıyla düşük RDS(ON) değerine sahip bir MOSFET tercih edilir. Kapı-kaynak gerilimi (VGSS) aralığı seçimi de sürücü devreleriyle uyumluluğu etkiler. Ayrıca, termal özelliklerin anlaşılması ve yeterli ısı dağılımının sağlanması güvenilir çalışma için kritik öneme sahiptir.

Özetle, doğru MOSFET'i seçmek, elektriksel özelliklerin, termal özelliklerin ve uygulama gereksinimlerinin dikkatli bir analizini gerektirir. Düşük RDS(ON) ve sağlam koruma özelliklerine sahip T2N7002BK gibi MOSFET'ler, tasarımlarını performans ve güvenilirlik açısından optimize etmek isteyen mühendisler için cazip bir seçenek sunar.

PartsBox Popülerlik Endeksi

  • İşletme: 2/10
  • Hobi: 1/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components