2N7002,215: 60V, 300mA N-kanal Hendek MOSFET, Hızlı Anahtarlama, SOT23
Nexperia

2N7002,215, Nexperia tarafından üretilen, Trench MOSFET teknolojisini kullanan ve plastik, yüzey montajlı SOT23 paketinde kapsüllenmiş bir N-kanal artırım modu Alan-Etki Transistörü (FET)'dir. Bu bileşen, çok hızlı anahtarlama yetenekleri sağlayarak çeşitli elektronik devrelerde verimli performans sunmak üzere tasarlanmıştır. Trench MOSFET teknolojisinin kullanılması, cihazın performansını sadece artırmakla kalmaz, aynı zamanda zaman içinde güvenilirliğini ve dayanıklılığını da katkıda bulunur.

2N7002,215'in ana özellikleri arasında, mantık seviyesi kapı sürücü kaynakları için uygunluğu bulunur, bu da onun dijital devrelerde yaygın olarak bulunan daha düşük voltaj seviyelerinde çalışabilme yeteneğini gösterir. Bu özellik, hızlı anahtarlama hızı ile birleştiğinde, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için mükemmel bir seçim yapar. Bileşen, geniş bir elektronik cihaz yelpazesine kolay entegrasyonu kolaylaştıran kompakt bir form faktörü olan bir SOT23 paketinde kapsüllenmiştir.

Ana Özellikler ve Özellikler

  • Drenaj-Kaynak Voltajı (VDS): 60V
  • Drenaj Akımı (ID): 300mA
  • Toplam Güç Dağılımı (Ptot): 0.83W
  • Drenaj-Kaynak Açık Devre Direnci (RDSon): 2.8 ile 5Ω arası
  • Kapı-Kaynak Voltajı (VGS): ±30V, Tepe ±40V
  • Bağlantı Sıcaklığı (Tj): -65 ile 150°C arası
  • Paket: SOT23

2N7002,215 Veri Sayfası

2N7002,215 veri sayfası (PDF)

2N7002,215 Yerine Geçenler
2N7002,215 için alternatif eşdeğer parçalar, en popüler parçalar önce

Uygulamalar

  • Mantık seviyesi çeviriciler
  • Yüksek hızlı hat sürücüleri

Kategori

Transistör

Genel bilgiler

Alan-Etki Transistörleri (FET'ler), bir elektrik alanı kullanarak elektriği kontrol eden bir transistör türüdür. Amplifikatörler, osilatörler ve anahtarlar dahil çeşitli elektronik devrelerde anahtar bileşenlerdir. N-kanal MOSFET'ler, 2N7002,215 gibi, elektronik cihazlarda sinyalleri anahtarlama ve yükseltme için özellikle yararlıdır.

Belirli bir uygulama için bir FET seçerken, drenaj-kaynak voltajı, drenaj akımı, güç dağılımı ve anahtarlama hızı gibi faktörleri göz önünde bulundurmak önemlidir. FET'in paketlemesi de, özellikle kompakt veya yüzey montaj tasarımlarında kritik bir rol oynar. 2N7002,215'te kullanılan hendek MOSFET teknolojisi, açık devre direncini azaltarak ve anahtarlama hızını artırarak performansı iyileştirir.

Hızlı anahtarlama ve düşük güç kaybı gerektiren uygulamalar için, N-kanal MOSFET'ler gibi 2N7002,215 idealdir. Mantık seviyesi kapı sürücü gerilimlerinde çalışabilme yetenekleri, mikrodenetleyiciler ve diğer dijital mantık devreleri ile arayüz oluşturmak için uygun kılar. Ayrıca, kompakt SOT23 paketi, PCB tasarımında yerden tasarruf sağlar.

Özetle, bir MOSFET seçerken, mühendisler bileşenin özelliklerini uygulamalarının gereksinimleriyle dikkatlice değerlendirmelidir. 2N7002,215, performans, güvenilirlik ve entegrasyon kolaylığı arasında dengeli bir kombinasyon sunarak, geniş bir elektronik tasarım yelpazesi için çok yönlü bir seçenek haline gelir.

PartsBox Popülerlik İndeksi

  • İş: 5/10
  • Hobi: 3/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components