onsemi'den 2N7002LT1G, küçük sinyal anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bir N-Kanal MOSFET'tir. Kompakt bir SOT-23 paketinde yer alan bu MOSFET, 60V'a kadar bir drenaj-kaynak voltajını (VDSS) ve 25°C'de 115mA'lık sürekli bir drenaj akımını (ID) destekler. VGS = 10V'ta 7.5 Ohm'luk düşük bir açık durum direncine (RDS(on)) sahiptir ve devre çalışmasındaki verimliliğini artırır.
Cihaz ayrıca, bir FR-5 kartı üzerinde 556 °C/W maksimum jonksiyon-ortam termal direnci (RθJA) ile sağlam bir termal performans sunar. Daha yüksek termal verimlilik gerektiren uygulamalar için, cihazın alümina substrat üzerindeki performansı 417 °C/W'lik iyileştirilmiş bir RθJA gösterir. 2N7002LT1G, 800mA'ya kadar darbeli drain akımlarını (IDM) işlemek üzere tasarlanmıştır ve bir dizi tasarım gereksinimi için esneklik sağlar. Dinamik özellikleri arasında giriş, çıkış ve ters transfer kapasitansları bulunur ve bu da anahtarlama uygulamalarında doğru modellemeyi kolaylaştırır.
MOSFET
MOSFET'ler (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistörler), elektronik sinyalleri yükseltmek veya anahtarlamak için kullanılan bir transistör türüdür. Giriş kaynağından gelen akım çekişini en aza indiren yüksek giriş empedansları ve yüksek hızlarda çalışma yetenekleri nedeniyle elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılırlar. 2N7002LT1G gibi N-kanallı MOSFET'ler, kaynağa göre kapıya pozitif bir voltaj uygulandığında iletime geçer, bu da onları güç yönetimi, yük anahtarlama ve sinyal yükseltme dahil olmak üzere çeşitli uygulamalar için uygun hale getirir.
Belirli bir uygulama için bir MOSFET seçerken, dikkate alınması gereken önemli parametreler arasında drenaj-kaynak gerilimi (VDSS), drenaj akımı (ID), açık durum direnci (RDS(on)) ve termal özellikler bulunur. VDSS derecesi, MOSFET kapalıyken engelleyebileceği maksimum gerilimi gösterirken, ID derecesi açıkken iletebileceği maksimum akımı sağlar. RDS(on) değeri güç verimliliği için kritiktir, çünkü daha düşük değerler daha az güç dağılımına neden olur. Bağlantıdan ortama termal direnç (RθJA) gibi termal özellikler de cihazın güvenli sıcaklık sınırları içinde çalışmasını sağlamak için önemlidir.
Bu parametrelere ek olarak, MOSFET'in açma ve kapama süreleri gibi anahtarlama özellikleri, hızlı anahtarlama hızları gerektiren uygulamalar için çok önemlidir. Drenaj ve kaynak arasındaki içsel diyotun davranışını tanımlayan gövde diyodu özellikleri, ters akım akışını içeren uygulamalar için önemlidir. Genel olarak, bir MOSFET seçimi, amaçlanan uygulamanın belirli gereksinimlerini karşılamak için elektriksel ve termal performansının kapsamlı bir değerlendirmesine dayanmalıdır.