2N7002ET1G: N-Kanal MOSFET, 60V, 310mA, SOT-23, Düşük RDS(on)
onsemi

2N7002ET1G, geniş bir uygulama yelpazesinde verimli güç yönetimi ve sinyal işleme için tasarlanmış bir N-Kanal MOSFET'tir. Bu cihaz, düşük açık-direnç (RDS(on)) ve yüksek anahtarlama performansı elde etmek için hendek teknolojisini kullanır, yüksek verimlilikli güç dönüşümü ve kontrolü için uygundur. Küçük SOT-23 paketi, alan kısıtlamaları olan uygulamalarda kompakt tasarımlar sağlar.

Maksimum dren-kaynak voltajı 60V ve sürekli dren akımı 310mA olan 2N7002ET1G, orta düzeyde güç seviyelerini yönetebilir. Düşük eşik voltajı, çeşitli kontrol arayüzleriyle kolay sürücü sağlar, uyumluluğunu artırır. Cihaz, AEC-Q101 nitelikli ve PPAP yeteneklidir, otomotiv uygulamaları ve diğer katı ortamlar için uygun kılar.

Ana Özellikler ve Özellikler

  • Drenaj-Kaynak Gerilimi (VDSS): 60V
  • Kapı-Kaynak Gerilimi (VGS): ±20V
  • Sürekli Drenaj Akımı (ID): 310mA
  • Güç Dağılımı: 300mW
  • RDS(açık): 10V'de 2.5Ω, 4.5V'de 3.0Ω
  • Kavşak-Ortam Termal Direnci (RθJA): 417°C/W sabit durum
  • Çalışma Kavşak Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +150°C arası
  • Giriş Kapasitansi (CISS): 40pF
  • Toplam Kapı Şarjı (QG(TOT)): 0.81nC

2N7002ET1G Veri Sayfası

2N7002ET1G veri sayfası (PDF)

2N7002ET1G Yerine Geçenler
2N7002ET1G için alternatif eşdeğer parçalar, en popüler parçalar önce

Uygulamalar

  • Düşük taraf yük anahtarı
  • Seviye kaydırma devreleri
  • DC-DC dönüştürücüler
  • Taşınabilir uygulamalar (örn., dijital kameralar, PDA'lar, cep telefonları)

Kategori

Transistörler

Genel bilgiler

MOSFET'ler (Metal-Oksit-Yarıiletken Alan-Etkili Transistörler), elektronik devrelerde verimli anahtarlar veya amplifikatörler olarak hareket eden temel bileşenlerdir. Güç dönüşümü ve yönetimi, sinyal işleme ve çeşitli uygulamalarda yük sürücüleri olarak yaygın olarak kullanılırlar. MOSFET'ler, yüksek giriş empedansı ve düşük çıkış empedansı sunarak, anahtarlama uygulamaları için yüksek verimlilik sağlar.

Bir MOSFET seçerken, mühendisler cihazın maksimum voltaj ve akım derecelendirmelerini, güç verimliliği için RDS(on)'u, anahtarlama hızını ve termal performansını dikkate almalıdır. Paketleme, devreye fiziksel entegrasyon için de önemlidir. MOSFET'ler, yüksek hızlı anahtarlama için N-kanal ve daha kolay sürücü yeteneği için P-kanal gibi çeşitli türlerde mevcuttur.

2N7002ET1G, düşük RDS(on) ve kompakt SOT-23 paketi ile, hem otomotiv hem de taşınabilir cihaz uygulamalarında verimli anahtarlama ve güç yönetimi için tasarlanmış bir MOSFET örneğidir. Hendek teknolojisi ve düşük eşik voltajı, yüksek verimlilik uygulamaları için uygunluğunu sağlar.

Yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamalar için, örneğin otomotiv, AEC-Q101 nitelikli ve PPAP yetenekli bir MOSFET seçmek, 2N7002ET1G gibi, bileşenin katı kalite standartlarını karşıladığını garanti eder. Termal özellikleri anlamak ve yeterli ısı dağılımını sağlamak da aşırı ısınmayı önlemek ve uzun vadeli güvenilirliği sağlamak için hayati öneme sahiptir.

PartsBox Popülerlik İndeksi

  • İş: 4/10
  • Hobi: 2/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components