O PMV90ENE da Nexperia é um MOSFET de trincheira N-channel de 30 V, projetado para uso em uma variedade de aplicações que requerem controle e conversão de potência eficientes. Ele é encapsulado em um pacote plástico de dispositivo de montagem em superfície (SMD) compacto SOT23 (TO-236AB), utilizando tecnologia avançada de MOSFET de trincheira para alcançar alto desempenho em um pequeno espaço.
Este MOSFET é caracterizado por sua compatibilidade com níveis lógicos, permitindo que seja diretamente acionado por circuitos lógicos sem a necessidade de componentes de driver adicionais. Ele também apresenta capacidades de comutação muito rápidas, aumentando sua adequação para aplicações de alta velocidade e alta frequência. O dispositivo inclui proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) excedendo 2 kV HBM, protegendo-o contra danos de descargas estáticas.
Transistor
Os MOSFETs de Trincheira de Canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) que utiliza uma estrutura de porta de trincheira para alcançar maior densidade e eficiência em comparação com os MOSFETs planares tradicionais. Esses componentes são amplamente utilizados em aplicações de conversão e gerenciamento de energia devido à sua capacidade de controlar eficientemente o fluxo de energia em circuitos.
Ao selecionar um MOSFET de Trincheira N-channel, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão drain-source (VDS), tensão gate-source (VGS), corrente drain (ID) e resistência drain-source no estado ligado (RDSon). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência e frequências de comutação necessários em uma determinada aplicação.
Além disso, o tipo de pacote e as características térmicas são considerações importantes. O pacote SOT23 é popular por seu tamanho compacto, tornando-o adequado para aplicações com restrição de espaço. O gerenciamento térmico é crucial para prevenir o superaquecimento e garantir operação confiável sob várias condições.
Por fim, recursos como compatibilidade com nível lógico e proteção ESD são benéficos para simplificar o design do circuito e aumentar a durabilidade do componente.