O PMV90ENE da Nexperia é um MOSFET Trench de canal N de 30 V, projetado para uso em uma variedade de aplicações que requerem controle e conversão de energia eficientes. Ele é encapsulado em um pacote plástico compacto SOT23 (TO-236AB) para montagem em superfície (SMD), utilizando tecnologia avançada Trench MOSFET para alcançar alto desempenho em um tamanho reduzido.
Este MOSFET caracteriza-se pela sua compatibilidade de nível lógico, permitindo que seja acionado diretamente por circuitos lógicos sem a necessidade de componentes de acionamento adicionais. Também apresenta capacidades de comutação muito rápidas, aumentando a sua adequação para aplicações de alta velocidade e alta frequência. O dispositivo inclui proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) superior a 2 kV HBM, protegendo-o contra danos causados por descargas estáticas.
Transístor
MOSFETs Trench de canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) que utilizam uma estrutura de gate em trincheira para alcançar maior densidade e eficiência em comparação com MOSFETs planares tradicionais. Esses componentes são amplamente utilizados em aplicações de conversão e gerenciamento de energia devido à sua capacidade de controlar eficientemente o fluxo de energia em circuitos.
Ao selecionar um MOSFET Trench de canal N, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão dreno-fonte (VDS), tensão porta-fonte (VGS), corrente de dreno (ID) e resistência no estado ligado dreno-fonte (RDSon). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência e frequências de comutação necessários em uma determinada aplicação.
Além disso, o tipo de pacote e as características térmicas são considerações importantes. O pacote SOT23 é popular por seu tamanho compacto, tornando-o adequado para aplicações com restrição de espaço. O gerenciamento térmico é crucial para evitar superaquecimento e garantir uma operação confiável sob várias condições.
Por último, características como compatibilidade de nível lógico e proteção ESD são benéficas para simplificar o design do circuito e aumentar a durabilidade do componente.