O 2N7002LT1G da onsemi é um MOSFET N-Channel projetado para aplicações de comutação de pequenos sinais. Alojado em um pacote compacto SOT-23, este MOSFET suporta uma tensão drain-source (VDSS) de até 60V e uma corrente contínua de dreno (ID) de 115mA a 25°C. Ele apresenta uma baixa resistência no estado ligado (RDS(on)) de 7.5 Ohms a VGS = 10V, aumentando sua eficiência em operação de circuito.
O dispositivo também oferece um desempenho térmico robusto com uma resistência térmica máxima de junção para o ambiente (RθJA) de 556 °C/W em uma placa FR-5. Para aplicações que exigem maior eficiência térmica, o desempenho do dispositivo em um substrato de alumina mostra uma RθJA melhorada de 417 °C/W. O 2N7002LT1G é projetado para lidar com correntes de dreno pulsadas (IDM) de até 800mA, proporcionando flexibilidade para uma gama de requisitos de design. Suas características dinâmicas incluem capacitâncias de entrada, saída e transferência reversa, facilitando a modelagem precisa em aplicações de comutação.
MOSFET
Os MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor) são um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são amplamente utilizados em dispositivos eletrônicos devido à sua alta impedância de entrada, que minimiza a corrente extraída da fonte de entrada, e sua capacidade de operar em altas velocidades. MOSFETs de canal N, como o 2N7002LT1G, conduzem quando uma tensão positiva é aplicada ao gate em relação à fonte, tornando-os adequados para uma variedade de aplicações, incluindo gerenciamento de energia, comutação de carga e amplificação de sinal.
Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, parâmetros importantes a considerar incluem a tensão dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID), resistência no estado ligado (RDS(on)) e características térmicas. A classificação VDSS indica a tensão máxima que o MOSFET pode bloquear quando desligado, enquanto a classificação ID fornece a corrente máxima que ele pode conduzir quando ligado. O valor RDS(on) é crítico para a eficiência de potência, pois valores mais baixos resultam em menos dissipação de potência. Características térmicas, como a resistência térmica junção-para-ambiente (RθJA), também são importantes para garantir que o dispositivo opere dentro dos limites de temperatura seguros.
Além desses parâmetros, as características de comutação do MOSFET, como os tempos de ligação e desligamento, são cruciais para aplicações que exigem velocidades de comutação rápidas. As características do diodo de corpo, que descrevem o comportamento do diodo intrínseco entre o dreno e a fonte, são relevantes para aplicações que envolvem fluxo de corrente reversa. No geral, a seleção de um MOSFET deve ser baseada em uma avaliação abrangente de seu desempenho elétrico e térmico para atender aos requisitos específicos da aplicação pretendida.