O 2N7002-7-F é um MOSFET de Modo de Melhoramento de Canal N concebido para oferecer baixa resistência no estado ligado (RDS(ON)) mantendo um desempenho de comutação superior. Este MOSFET apresenta uma tensão máxima dreno-fonte (VDSS) de 60V, uma corrente de dreno contínua (ID) de 210mA e uma RDS(ON) máxima de 7.5Ω a uma tensão porta-fonte (VGS) de 5V. O seu design é otimizado para alta eficiência em aplicações de gestão de energia, combinando baixa tensão de limiar de porta, baixa capacitância de entrada e velocidade de comutação rápida num pequeno pacote de montagem em superfície SOT-23.
Este componente é adequado para uma variedade de aplicações, incluindo controle de motores e funções de gerenciamento de energia, onde o manuseio eficiente de energia e o desempenho confiável são importantes. O 2N7002-7-F é fabricado pela Diodes Inc. e é totalmente compatível com os padrões RoHS, tornando-o uma escolha adequada para aplicações ambientalmente conscientes.
Transístor
MOSFETs de Modo de Aprimoramento de Canal N são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos por sua eficiência e confiabilidade em aplicações de comutação. Esses componentes operam permitindo que a corrente flua entre os terminais de dreno e fonte quando uma tensão suficiente é aplicada ao terminal da porta (gate), agindo efetivamente como um interruptor. A designação Canal N refere-se ao tipo de portadores de carga (elétrons) que conduzem corrente através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, os engenheiros consideram vários parâmetros importantes, incluindo a tensão dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID) e resistência estática dreno-fonte ligada (RDS(ON)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os requisitos de tensão e corrente da aplicação, bem como sua eficiência. A tensão porta-fonte (VGSS) também é importante, pois afeta a tensão necessária para ligar e desligar o dispositivo.
Em aplicações que exigem gerenciamento eficiente de energia e comutação rápida, o baixo RDS(ON) e a velocidade de comutação rápida do MOSFET são particularmente valiosos. O tamanho pequeno do encapsulamento, como o SOT-23, também é vantajoso para projetos com restrição de espaço. Além disso, a conformidade com padrões ambientais, como RoHS, é frequentemente uma consideração na seleção de componentes.
No geral, MOSFETs de Canal N como o 2N7002-7-F são essenciais para uma ampla gama de aplicações, desde controle de motores até funções de gerenciamento de energia, onde a comutação de energia eficiente e confiável é necessária.