O 2N7002-7-F é um MOSFET de Modo de Enriquecimento N-Channel projetado para oferecer baixa resistência no estado ligado (RDS(ON)) enquanto mantém um desempenho de comutação superior. Este MOSFET apresenta uma tensão máxima dreno-fonte (VDSS) de 60V, uma corrente contínua de dreno (ID) de 210mA e um RDS(ON) máximo de 7.5Ω a uma tensão porta-fonte (VGS) de 5V. Seu design é otimizado para alta eficiência em aplicações de gerenciamento de energia, combinando baixa tensão de limiar da porta, baixa capacitância de entrada e velocidade de comutação rápida em um pequeno pacote montado na superfície SOT-23.
Este componente é adequado para uma gama de aplicações, incluindo controle de motores e funções de gerenciamento de energia, onde o manuseio eficiente de energia e desempenho confiável são importantes. O 2N7002-7-F é fabricado pela Diodes Inc. e está totalmente em conformidade com os padrões RoHS, tornando-o uma escolha adequada para aplicações conscientes do meio ambiente.
Transistor
Os MOSFETs de Modo de Enriquecimento N-Channel são amplamente usados em circuitos eletrônicos por sua eficiência e confiabilidade em aplicações de comutação. Esses componentes operam permitindo que a corrente flua entre os terminais de dreno e fonte quando uma tensão suficiente é aplicada ao terminal de porta, atuando efetivamente como um interruptor. A designação N-Channel refere-se ao tipo de portadores de carga (elétrons) que conduzem a corrente através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, engenheiros consideram vários parâmetros chave, incluindo a tensão dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID) e resistência estática dreno-fonte (RDS(ON)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os requisitos de tensão e corrente da aplicação, bem como sua eficiência. A tensão porta-fonte (VGSS) também é importante, pois afeta a tensão necessária para ligar e desligar o dispositivo.
Em aplicações que requerem gerenciamento de potência eficiente e comutação rápida, o baixo RDS(ON) e a velocidade de comutação rápida do MOSFET são particularmente valiosos. O tamanho pequeno do pacote, como o SOT-23, também é vantajoso para designs com espaço limitado. Além disso, a conformidade com padrões ambientais como RoHS é frequentemente uma consideração na seleção de componentes.
No geral, MOSFETs de canal N como o 2N7002-7-F são essenciais para uma ampla gama de aplicações, desde controle de motores até funções de gerenciamento de energia, onde a comutação de potência eficiente e confiável é necessária.