O BSS138BK da Nexperia é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de aprimoramento de canal N que utiliza a tecnologia Trench MOSFET para fornecer alta eficiência e desempenho em um pacote plástico compacto SOT23 (TO-236AB) para Dispositivo Montado em Superfície (SMD). Este componente é projetado para compatibilidade de nível lógico, apresentando capacidades de comutação muito rápidas e proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) de até 1,5 kV, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações de comutação de alta velocidade.
As principais características incluem uma tensão dreno-fonte (VDS) de 60V, tensão porta-fonte (VGS) de ±20V e uma corrente de dreno (ID) de até 360mA a 25°C de temperatura ambiente. O BSS138BK também exibe uma baixa resistência no estado ligado dreno-fonte (RDSon) de 1 a 1,6Ω a VGS = 10V e ID = 350mA, garantindo um funcionamento eficiente. As suas características térmicas e design robusto tornam-no fiável para utilização em várias aplicações, incluindo drivers de relé, interruptores de carga de lado baixo, drivers de linha de alta velocidade e circuitos de comutação.
Transístor
Os MOSFETs de canal N são um tipo de Transístor de Efeito de Campo (FET) amplamente utilizados em circuitos eletrónicos para comutação e amplificação de sinais. Operam utilizando uma tensão de entrada para controlar o fluxo de corrente através de um canal. A designação de canal N refere-se ao tipo de portadores de carga (eletrões) que se movem através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, os engenheiros consideram parâmetros como a tensão dreno-fonte (VDS), tensão porta-fonte (VGS), corrente de dreno (ID) e a resistência no estado ligado dreno-fonte (RDSon). Esses parâmetros determinam a capacidade do dispositivo de lidar com níveis de tensão, corrente e potência de forma eficiente.
MOSFETs de canal N são preferidos por sua alta eficiência, velocidades de comutação rápidas e capacidade de conduzir correntes significativas. Eles encontram aplicações em uma variedade de circuitos, incluindo fontes de alimentação, controladores de motor e interruptores eletrônicos. As principais considerações ao escolher um MOSFET de canal N incluem os requisitos específicos da aplicação, gerenciamento térmico e a necessidade de recursos de proteção como resistência a ESD.
O BSS138BK exemplifica o uso da tecnologia Trench MOSFET, que melhora o desempenho reduzindo a resistência no estado ligado e melhorando as velocidades de comutação. Isto torna-o adequado para aplicações que requerem gestão eficiente de energia e capacidades de comutação rápida.