O BSS138BK da Nexperia é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de realce N-channel que utiliza tecnologia MOSFET de trincheira para fornecer alta eficiência e desempenho em um pacote plástico de Dispositivo Montado na Superfície (SMD) SOT23 (TO-236AB) compacto. Este componente é projetado para compatibilidade de nível lógico, apresentando capacidades de comutação muito rápidas e proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) de até 1,5 kV, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações de comutação de alta velocidade.
Principais características incluem uma tensão dreno-fonte (VDS) de 60V, tensão porta-fonte (VGS) de ±20V e uma corrente de dreno (ID) de até 360mA a uma temperatura ambiente de 25°C. O BSS138BK também exibe uma baixa resistência dreno-fonte no estado ligado (RDSon) de 1 a 1,6Ω em VGS = 10V e ID = 350mA, garantindo uma operação eficiente. Suas características térmicas e design robusto o tornam confiável para uso em várias aplicações, incluindo drivers de relé, chaves de carga de baixo lado, drivers de linha de alta velocidade e circuitos de comutação.
Transistor
MOSFETs N-channel são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) que são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando uma tensão de entrada para controlar o fluxo de corrente através de um canal. A designação N-channel refere-se ao tipo de portadores de carga (elétrons) que se movem através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, os engenheiros consideram parâmetros como a tensão dreno-fonte (VDS), tensão porta-fonte (VGS), corrente de dreno (ID) e a resistência de estado ligado dreno-fonte (RDSon). Esses parâmetros determinam a capacidade do dispositivo de lidar com níveis de tensão, corrente e potência de forma eficiente.
Os MOSFETs de canal N são favorecidos por sua alta eficiência, velocidades de comutação rápidas e a capacidade de conduzir correntes significativas. Eles encontram aplicações em uma variedade de circuitos, incluindo fontes de alimentação, controladores de motores e interruptores eletrônicos. Considerações chave ao escolher um MOSFET de canal N incluem os requisitos específicos da aplicação, gerenciamento térmico e a necessidade de recursos de proteção como resistência a ESD.
O BSS138BK exemplifica o uso da tecnologia Trench MOSFET, que melhora o desempenho reduzindo a resistência no estado ligado e melhorando as velocidades de comutação. Isso o torna adequado para aplicações que exigem gerenciamento eficiente de energia e capacidades de comutação rápidas.