IRLML2060TRPBF: HEXFET Power MOSFET, 60V, 1.2A, RDS(on) máx 480mΩ @ 10V
Infineon

O IRLML2060TRPBF é um MOSFET de Potência HEXFET projetado pela Infineon para gerenciamento de energia eficiente em circuitos eletrônicos. Ele opera a uma tensão de dreno-fonte (VDS) de 60V e pode lidar com uma corrente de dreno contínua (ID) de 1.2A a uma tensão de porta-fonte (VGS) de 10V. O dispositivo apresenta uma resistência de dreno-fonte estática máxima (RDS(on)) de 480mΩ a VGS = 10V, aumentando para 640mΩ a VGS = 4.5V, garantindo operação eficiente com perda de potência mínima.

Este MOSFET é compatível com técnicas de montagem em superfície existentes, facilitando sua incorporação em vários designs. Ele é projetado com um pinout padrão da indústria, garantindo compatibilidade multi-fornecedor. Sua conformidade com RoHS indica que não contém chumbo, brometo ou halogênio, tornando-o uma escolha ecologicamente correta para aplicações de comutação de potência. O IRLML2060TRPBF é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo chaves de carga/sistema, devido ao seu desempenho robusto e confiabilidade.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Dreno-Fonte (VDS): 60V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID) @ TA = 25°C: 1.2A
  • Resistência Dreno-Fonte Estática (RDS(on)) @ VGS = 10V: 480mΩ
  • Tensão Porta-Fonte Máxima (VGS): ±16V
  • Dissipação Máxima de Potência (PD) @ TA = 25°C: 1.25W
  • Faixa de Temperatura de Junção e Armazenamento (TJ, TSTG): -55 a +150°C

Ficha Técnica de IRLML2060TRPBF

IRLML2060TRPBF folha de dados (PDF)

IRLML2060TRPBF Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para IRLML2060TRPBF, as partes mais populares primeiro

Aplicações

  • Chave de Carga/Sistema

Categoria

MOSFET de Potência

Informações gerais

MOSFETs de Potência são componentes fundamentais em circuitos eletrônicos para controlar o fluxo de energia elétrica. Eles operam como interruptores ou amplificadores, gerenciando eficientemente a distribuição de potência em uma ampla gama de aplicações, desde eletrônicos de consumo até sistemas industriais. Ao escolher um MOSFET de Potência, considerações importantes incluem a tensão máxima dreno-fonte (VDS), a corrente contínua de dreno (ID), a tensão porta-fonte (VGS) e a resistência dreno-fonte estática (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência necessários com perdas mínimas.

O IRLML2060TRPBF, projetado pela Infineon, exemplifica um MOSFET de Potência de alto desempenho adequado para aplicações de comutação de carga/sistema. Ele apresenta uma baixa resistência em condução, garantindo uma gestão de energia eficiente e geração mínima de calor. Engenheiros também devem considerar o tipo de encapsulamento para gestão térmica e compatibilidade com processos de fabricação existentes. Além disso, a conformidade ambiental, como RoHS, é crucial para garantir a adequação do componente para mercados globais. Em resumo, selecionar o MOSFET de Potência certo envolve equilibrar desempenho, eficiência, gestão térmica e conformidade com padrões ambientais.

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