O 2N7002K-T1-GE3 é um MOSFET de Canal-N da Vishay Siliconix, projetado para aplicações de comutação rápida. Opera a uma tensão dreno-fonte (VDS) de 60V, com uma corrente de dreno máxima (ID) de 0,3A. O dispositivo apresenta uma baixa resistência no estado ligado (RDS(on)) de 2 Ohm quando VGS é 10V, contribuindo para a sua eficiência na operação do circuito. Além disso, possui uma baixa tensão de limiar de 2V (típica) e uma velocidade de comutação rápida de 25ns, melhorando o seu desempenho em circuitos de alta velocidade.
Este MOSFET é encapsulado em um pacote compacto SOT-23 (TO-236), tornando-o adequado para aplicações com restrição de espaço. Ele também oferece baixa fuga de entrada e saída, baixa capacitância de entrada de 25pF e é equipado com proteção ESD de 2000V, garantindo confiabilidade em várias condições operacionais. O 2N7002K-T1-GE3 é projetado para aplicações que requerem comutação de alta velocidade e operação em baixa tensão, tornando-o uma escolha ideal para interfaces de nível lógico direto, drivers, sistemas operados por bateria e relés de estado sólido.
MOSFET
MOSFETs de Canal N são um tipo de transistor de efeito de campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando um campo elétrico para controlar a condutividade de um canal em um material semicondutor. Os MOSFETs de Canal N são particularmente notáveis por sua alta eficiência e capacidades de comutação rápida.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, vários parâmetros-chave devem ser considerados, incluindo a tensão dreno-fonte (VDS), tensão porta-fonte (VGS), corrente de dreno contínua (ID) e resistência em condução (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do dispositivo de lidar com tensão e corrente em aplicações específicas. Além disso, a velocidade de comutação, representada pelos tempos de ativação e desativação, é crítica para aplicações que exigem comutação rápida.
A tensão de limiar (VGS(th)) é outro fator importante, indicando a tensão mínima porta-fonte necessária para ligar o dispositivo. Tensões de limiar mais baixas podem ser vantajosas em aplicações de baixa tensão. As capacitâncias de entrada e saída afetam a velocidade de comutação e o consumo de energia durante os eventos de comutação.
MOSFETs de Canal N são usados em uma ampla gama de aplicações, desde gerenciamento e conversão de energia até processamento de sinal e circuitos de comutação de alta velocidade. Sua versatilidade e eficiência os tornam componentes essenciais no design eletrônico moderno.