O 2N7002H6327XTSA2 da Infineon é um MOSFET de modo de enriquecimento de canal N concebido para aplicações de comutação de alta velocidade. Este componente opera com uma tensão máxima dreno-fonte (VDS) de 60V e pode lidar com correntes de dreno contínuas (ID) até 0,3A a 25°C. Com uma resistência máxima no estado ligado (RDS(on)) de 3Ω a VGS=10V, oferece uma capacidade eficiente de gestão de energia para o seu tamanho. O dispositivo também apresenta compatibilidade de nível lógico, permitindo que seja acionado diretamente por sinais lógicos de baixa tensão.
Este MOSFET é classificado para avalanche, indicando sua robustez no manuseio de picos de energia durante a operação. Suas características de comutação rápida o tornam adequado para aplicações de alta frequência. O 2N7002H6327XTSA2 é encapsulado em um pacote compacto PG-SOT23, tornando-o ideal para aplicações com restrição de espaço. Ele também é compatível com RoHS e livre de halogênio, aderindo aos padrões ambientais atuais.
Transístor
MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor) são um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são componentes fundamentais em dispositivos eletrônicos modernos, servindo a uma ampla gama de aplicações, desde gerenciamento de energia até processamento de sinais. MOSFETs de canal N, como o 2N7002H6327XTSA2, são projetados para conduzir entre os terminais de dreno e fonte quando uma tensão positiva é aplicada à porta em relação à fonte.
Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, parâmetros-chave como a tensão dreno-fonte (VDS), corrente de dreno (ID) e resistência no estado ligado (RDS(on)) são importantes a considerar. Esses parâmetros determinam as capacidades de manuseio de tensão e corrente do dispositivo, bem como sua eficiência. A compatibilidade de nível lógico é outro fator importante, especialmente em aplicações de baixa tensão onde o MOSFET precisa ser acionado diretamente por um microcontrolador ou outro dispositivo lógico.
A velocidade na qual um MOSFET pode ligar e desligar é crítica em aplicações de alta frequência. A comutação rápida reduz as perdas de energia e melhora a eficiência. Além disso, dispositivos classificados para avalanche oferecem maior confiabilidade em condições onde podem ocorrer picos de tensão. O encapsulamento também é uma consideração, com pacotes compactos como o PG-SOT23 permitindo designs eficientes em termos de espaço.
Em resumo, a seleção de um MOSFET envolve uma avaliação cuidadosa das suas características elétricas, compatibilidade com o sinal de comando, desempenho de comutação e tamanho físico. A compreensão destes aspetos garantirá um desempenho ótimo na aplicação pretendida.