O PMV230ENEAR é um Transístor de Efeito de Campo (FET) de modo de melhoramento de canal N encapsulado num pacote de plástico compacto SOT23 (TO-236AB) para Montagem em Superfície (SMD). Utilizando a tecnologia Trench MOSFET, este componente oferece um desempenho melhorado numa variedade de circuitos eletrónicos. O seu design é otimizado para comutação rápida e compatibilidade de nível lógico, tornando-o adequado para aplicações de alta velocidade.
Este MOSFET é equipado com proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) excedendo 2 kV HBM, garantindo durabilidade contra descargas eletrostáticas repentinas. Além disso, é qualificado AEC-Q101, indicando sua confiabilidade em aplicações de grau automotivo. O pequeno fator de forma do PMV230ENEAR combinado com suas características de desempenho robustas o torna uma excelente escolha para aplicações com restrição de espaço que requerem comutação eficiente.
MOSFET
Os MOSFETs de canal-N são componentes fundamentais na engenharia eletrónica, servindo como interruptores ou amplificadores eficientes em circuitos. Funcionam utilizando um campo elétrico para controlar a condutividade de um canal, permitindo ou impedindo o fluxo de corrente. Os tipos de canal-N, como o PMV230ENEAR, têm uma mobilidade de eletrões mais elevada em comparação com os tipos de canal-P, tornando-os mais eficientes para muitas aplicações.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, os engenheiros consideram parâmetros como tensão dreno-fonte, tensão porta-fonte, corrente de dreno e dissipação de potência. As especificações do PMV230ENEAR, incluindo sua tensão dreno-fonte de 60V e capacidade de corrente de dreno de 1.5A, tornam-no adequado para uma variedade de aplicações. Seu pacote compacto SOT23 é vantajoso para designs com restrição de espaço.
A tecnologia Trench MOSFET, conforme usada no PMV230ENEAR, oferece resistência reduzida no estado ligado e desempenho de comutação aprimorado, que são críticos para aplicações de alta eficiência. Além disso, recursos como proteção ESD e qualificação de grau automotivo (AEC-Q101) são importantes para aplicações que exigem alta confiabilidade e robustez.
No geral, a seleção de um MOSFET de canal N envolve um equilíbrio entre especificações elétricas, encapsulamento e recursos adicionais como proteção ESD. A combinação de alto desempenho, encapsulamento compacto e recursos de confiabilidade do PMV230ENEAR o tornam uma excelente escolha para engenheiros que projetam sistemas eletrônicos.