O PMV164ENEAR é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de aprimoramento de canal N que utiliza a tecnologia Trench MOSFET. Ele é encapsulado em um pacote plástico compacto SOT23 (TO-236AB) para Dispositivos Montados em Superfície (SMD), tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações onde o espaço é escasso. Este componente é projetado para operar em níveis lógicos, tornando-o compatível com interfaces modernas de microcontroladores.
As principais características do PMV164ENEAR incluem uma faixa de temperatura operacional estendida de até 175°C e proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) integrada excedendo 2 kV HBM (classe H2). Também é qualificado AEC-Q101, indicando a sua adequação para uso em aplicações automotivas. Esses atributos, combinados com a baixa resistência no estado ligado do dispositivo, tornam-no uma escolha eficiente para tarefas de gerenciamento de energia.
Transístor
MOSFETs de canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) que são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos para fins de comutação e amplificação. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de dreno e fonte. A designação de canal N refere-se ao tipo de portadores de carga (elétrons) que se movem através do canal formado entre a fonte e o dreno.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, considerações importantes incluem a tensão máxima dreno-fonte (VDS), a corrente máxima que ele pode suportar (ID), a tensão porta-fonte (VGS) e a resistência no estado ligado dreno-fonte (RDSon). Esses parâmetros determinam a adequação do dispositivo para aplicações específicas, incluindo sua eficiência e capacidades de manuseio de potência.
MOSFETs são essenciais para a eletrônica moderna, encontrando aplicações em conversão de energia, controle de motores e como componentes-chave em vários tipos de interruptores eletrônicos. Sua capacidade de comutar rapidamente e com alta eficiência os torna particularmente valiosos em gerenciamento de energia e circuitos digitais.
Para engenheiros, escolher o MOSFET certo envolve entender os requisitos específicos de sua aplicação, incluindo o ambiente operacional, níveis de potência e velocidades de comutação. O encapsulamento do dispositivo, as características térmicas e quaisquer recursos adicionais, como mecanismos de proteção integrados, também podem influenciar o processo de seleção.