O PMV164ENEAR é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de realce de canal N que utiliza tecnologia MOSFET de trincheira. Ele é encapsulado em um pacote plástico de Dispositivo Montado em Superfície (SMD) compacto SOT23 (TO-236AB), tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações onde o espaço é limitado. Este componente é projetado para operar em níveis lógicos, tornando-o compatível com interfaces de microcontroladores modernos.
Os principais recursos do PMV164ENEAR incluem uma faixa de temperatura de operação estendida de até 175°C e proteção integrada contra Descarga Eletrostática (ESD) excedendo 2 kV HBM (classe H2). Ele também é qualificado AEC-Q101, indicando sua adequação para uso em aplicações automotivas. Esses atributos, combinados com a baixa resistência no estado ligado do dispositivo, o tornam uma escolha eficiente para tarefas de gerenciamento de energia.
Transistor
Os MOSFETs de canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para fins de comutação e amplificação. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de dreno e fonte. A designação de canal N refere-se ao tipo de portadores de carga (elétrons) que se movem através do canal formado entre a fonte e o dreno.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, considerações importantes incluem a tensão máxima dreno-fonte (VDS), a corrente máxima que ele pode lidar (ID), a tensão porta-fonte (VGS) e a resistência dreno-fonte em estado ligado (RDSon). Esses parâmetros determinam a adequação do dispositivo para aplicações específicas, incluindo sua eficiência e capacidades de manuseio de potência.
MOSFETs são integrais para a eletrônica moderna, encontrando aplicações em conversão de potência, controle de motores e como componentes chave em vários tipos de chaves eletrônicas. Sua capacidade de comutar rapidamente e com alta eficiência os torna particularmente valiosos no gerenciamento de potência e circuitos digitais.
Para engenheiros, escolher o MOSFET certo envolve entender os requisitos específicos de sua aplicação, incluindo o ambiente operacional, níveis de potência e velocidades de comutação. A embalagem do dispositivo, características térmicas e quaisquer recursos adicionais, como mecanismos de proteção integrados, também podem influenciar o processo de seleção.