O PMV120ENEA é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de enriquecimento N-channel que utiliza a tecnologia Trench MOSFET, alojado em um pacote plástico de Dispositivo Montado na Superfície (SMD) compacto SOT23 (TO-236AB). Este componente é projetado para o gerenciamento eficiente de energia dentro de circuitos eletrônicos, oferecendo capacidades de comutação rápidas e compatibilidade com nível lógico, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações.
Principais características incluem proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) excedendo 2 kV de acordo com o Modelo do Corpo Humano (HBM), garantindo robustez e confiabilidade em ambientes severos. Além disso, o PMV120ENEA é qualificado AEC-Q101, indicando sua adequação para aplicações automotivas. Sua tecnologia MOSFET de Trincheira possibilita um desempenho melhorado em termos de eficiência de energia e gerenciamento térmico em comparação com MOSFETs tradicionais.
MOSFET
Transistores MOSFET de canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) amplamente usados em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno. A designação de canal N refere-se ao uso de elétrons carregados negativamente como portadores de carga.
Ao selecionar um MOSFET N-channel, vários parâmetros chave devem ser considerados, incluindo a tensão dreno-fonte, tensão porta-fonte, corrente de dreno e resistência em estado ligado. Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com níveis de tensão e corrente, bem como sua eficiência e desempenho térmico.
MOSFETs são componentes essenciais em gerenciamento de energia, acionamento de cargas e aplicações de comutação de sinais. Sua velocidade de comutação rápida, alta eficiência e capacidade de lidar com níveis significativos de potência os tornam adequados para uma ampla gama de aplicações, de eletrônicos de consumo a sistemas automotivos.
A tecnologia MOSFET de trincheira, como usada no PMV120ENEA, oferece desempenho aprimorado ao reduzir a resistência no estado ligado e melhorar as características térmicas, levando a um uso de energia mais eficiente e geração de calor reduzida. Esta tecnologia é particularmente benéfica em aplicações que requerem alta densidade de potência e eficiência.