O PMV120ENEA é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de aprimoramento de canal N que utiliza a tecnologia Trench MOSFET, alojado em um encapsulamento plástico compacto SOT23 (TO-236AB) para Dispositivos de Montagem em Superfície (SMD). Este componente é projetado para gerenciamento eficiente de energia em circuitos eletrônicos, oferecendo capacidades de comutação rápida e compatibilidade com nível lógico, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações.
Os principais recursos incluem proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) excedendo 2 kV de acordo com o Modelo de Corpo Humano (HBM), garantindo robustez e confiabilidade em ambientes agressivos. Além disso, o PMV120ENEA é qualificado AEC-Q101, indicando sua adequação para aplicações automotivas. Sua tecnologia Trench MOSFET permite melhor desempenho em termos de eficiência de energia e gerenciamento térmico em comparação com MOSFETs tradicionais.
MOSFET
Os MOSFETs de canal N são um tipo de Transístor de Efeito de Campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrónicos para comutação e amplificação de sinais. Operam utilizando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno. A designação de canal N refere-se ao uso de eletrões carregados negativamente como portadores de carga.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, vários parâmetros chave devem ser considerados, incluindo a tensão dreno-fonte, tensão porta-fonte, corrente de dreno e resistência no estado ligado. Estes parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com níveis de tensão e corrente, bem como a sua eficiência e desempenho térmico.
MOSFETs são componentes essenciais em gerenciamento de energia, acionamento de cargas e aplicações de comutação de sinal. Sua rápida velocidade de comutação, alta eficiência e capacidade de lidar com níveis significativos de potência os tornam adequados para uma ampla gama de aplicações, desde eletrônicos de consumo até sistemas automotivos.
A tecnologia Trench MOSFET, conforme usada no PMV120ENEA, oferece desempenho aprimorado ao reduzir a resistência no estado ligado e melhorar as características térmicas, levando a um uso de energia mais eficiente e geração de calor reduzida. Essa tecnologia é particularmente benéfica em aplicações que exigem alta densidade de potência e eficiência.