BSS138BK: MOSFET de Trincheira N-channel de 60 V, 360 mA, pacote SOT23

Nexperia

O Nexperia BSS138BK é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de aprimoramento N-channel que utiliza tecnologia MOSFET de trincheira, embalado em um pequeno pacote plástico SMD (Dispositivo Montado na Superfície) SOT23 (TO-236AB). Este componente é projetado para oferecer controle de potência eficiente e capacidades de comutação com uma tensão dreno-fonte de até 60 V e uma corrente de dreno contínua de até 360 mA.

Principais características do BSS138BK incluem compatibilidade com nível lógico, proporcionando facilidade de uso em vários projetos de circuitos, e proteção ESD até 1.5 kV, garantindo confiabilidade e durabilidade em aplicações sensíveis. Sua capacidade de comutação muito rápida o torna adequado para aplicações de comutação de alta velocidade. Além disso, é qualificado AEC-Q101, indicando sua adequação para aplicações automotivas.

• Tensão Dreno-Fonte (VDS): 60 V
• Tensão Porta-Fonte (VGS): ±20 V
• Corrente de Dreno (ID): 360 mA a VGS = 10 V, 25°C
• Resistência Dreno-Fonte em Estado Ligado (RDSon): 1 a 1,6 Ω a VGS = 10 V, ID = 350 mA
• Dissipação Total de Potência (Ptot): 350 mW a 25°C
• Temperatura de Junção (Tj): -55 a 150 °C
• Proteção ESD: Até 1,5 kV

• Driver de relé
• Chave de carga de baixo lado
• Driver de linha de alta velocidade
• Circuitos de comutação

MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico-Semicondutor) são um tipo de FET projetado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são amplamente utilizados em dispositivos eletrônicos devido à sua alta eficiência, confiabilidade e capacidade de lidar com níveis significativos de potência. MOSFETs de canal N, como o BSS138BK, têm elétrons como portadores de carga e são tipicamente usados para aplicações de comutação de alta velocidade.

Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, parâmetros chave como tensão dreno-fonte, tensão porta-fonte, corrente de dreno e dissipação de potência precisam ser considerados para garantir que o componente atenda aos requisitos do circuito. Adicionalmente, o tipo de pacote e as características térmicas são fatores importantes que afetam o desempenho e a adequação do MOSFET para a aplicação pretendida.

MOSFETs são integrais em várias aplicações, desde o gerenciamento de energia em dispositivos portáteis até o controle de motores em sistemas automotivos. Sua capacidade de comutar e controlar energia de forma eficiente os torna componentes essenciais no design eletrônico moderno. Entender os requisitos específicos de sua aplicação, incluindo os níveis de tensão e corrente necessários, bem como a velocidade de comutação desejada, orientará a seleção do MOSFET apropriado.