O Nexperia BSS138BK é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de enriquecimento de canal N que utiliza a tecnologia Trench MOSFET, embalado num pequeno pacote plástico SOT23 (TO-236AB) de Dispositivo de Montagem em Superfície (SMD). Este componente foi concebido para oferecer controlo de potência eficiente e capacidades de comutação com uma tensão dreno-fonte de até 60 V e uma corrente de dreno contínua de até 360 mA.
As principais características do BSS138BK incluem compatibilidade de nível lógico, proporcionando facilidade de utilização em vários designs de circuitos, e proteção ESD até 1,5 kV, garantindo fiabilidade e durabilidade em aplicações sensíveis. A sua capacidade de comutação muito rápida torna-o adequado para aplicações de comutação de alta velocidade. Além disso, é qualificado pela AEC-Q101, indicando a sua adequação para aplicações automotivas.
MOSFET
MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor) são um tipo de FET projetado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são amplamente utilizados em dispositivos eletrônicos devido à sua alta eficiência, confiabilidade e capacidade de lidar com níveis de potência significativos. MOSFETs de canal N, como o BSS138BK, têm elétrons como portadores de carga e são tipicamente usados para aplicações de comutação de alta velocidade.
Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, parâmetros-chave como tensão dreno-fonte, tensão porta-fonte, corrente de dreno e dissipação de potência precisam ser considerados para garantir que o componente atenda aos requisitos do circuito. Além disso, o tipo de encapsulamento e as características térmicas são fatores importantes que afetam o desempenho do MOSFET e sua adequação para a aplicação pretendida.
Os MOSFETs são essenciais em várias aplicações, desde a gestão de energia em dispositivos portáteis até ao controlo de motores em sistemas automóveis. A sua capacidade de comutar e controlar energia de forma eficiente torna-os componentes essenciais no design eletrónico moderno. Compreender os requisitos específicos da sua aplicação, incluindo os níveis de tensão e corrente necessários, bem como a velocidade de comutação desejada, guiará a seleção do MOSFET apropriado.