O 2N7002LT3G é um MOSFET de canal N da onsemi, projetado para aplicações de sinal pequeno e alojado em um encapsulamento compacto SOT-23. Este componente oferece uma tensão dreno-fonte (VDSS) de 60V e uma corrente máxima de dreno (ID) de 115mA, tornando-o adequado para uma variedade de aplicações de baixa potência. É caracterizado por sua baixa resistência no estado ligado e capacidades de comutação de alta velocidade. O dispositivo é qualificado AEC-Q101, tornando-o adequado para aplicações automotivas, e também é livre de chumbo, livre de halogênio/BFR e compatível com RoHS, refletindo o compromisso da onsemi com a sustentabilidade ambiental.
O MOSFET apresenta um RDS(on) máximo de 7,5Ω a 10V, indicando sua eficiência em conduzir corrente com perda mínima de potência. Ele também suporta uma corrente de dreno pulsada (IDM) de até 800mA, permitindo operações de corrente mais alta transientes. As características térmicas do dispositivo garantem operação confiável, com uma temperatura máxima de junção de 150°C. Suas características dinâmicas incluem uma capacitância de entrada (Ciss) de 50pF, tornando-o responsivo em aplicações de comutação de alta velocidade.
MOSFET
MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor) são um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são caracterizados por seus terminais de porta, dreno e fonte. MOSFETs de canal N, como o 2N7002LT3G, conduzem corrente quando uma tensão positiva é aplicada à porta em relação à fonte, tornando-os adequados para uma variedade de aplicações de comutação.
Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, engenheiros consideram parâmetros como tensão dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID), tensão porta-fonte (VGS) e resistência dreno-fonte no estado estático (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com tensão e corrente, sua eficiência e sua adequação para aplicações de comutação de alta velocidade. Características térmicas também são importantes, pois afetam a confiabilidade e longevidade do dispositivo sob diferentes condições de operação.
MOSFETs são amplamente usados em circuitos de gerenciamento de energia, sistemas de controle de motores e na comutação de cargas em vários dispositivos eletrônicos. Sua capacidade de comutar rapidamente e com alta eficiência os torna valiosos na redução do consumo de energia e geração de calor em sistemas eletrônicos. Além disso, a escolha entre MOSFETs N-Channel e P-Channel depende dos requisitos específicos do circuito, incluindo a direção do fluxo de corrente e o tipo de carga sendo acionada.
No geral, a seleção de um MOSFET envolve uma análise cuidadosa de suas características elétricas, desempenho térmico e os requisitos específicos da aplicação. Confiabilidade, eficiência e conformidade com padrões ambientais também são considerações chave no processo de seleção.