O 2N7002K é um MOSFET de Modo de Melhoria de Canal N de 60V projetado para aplicações de comutação de alto desempenho. Ele apresenta tecnologia de processo de trincheira avançada que permite resistência on ultra-baixa e corrente de fuga muito baixa na condição desligada, tornando-o altamente eficiente para tarefas de gerenciamento de energia. O MOSFET é protegido contra ESD até 2KV HBM, garantindo robustez em ambientes sensíveis.
Este componente é especialmente projetado para sistemas operados por bateria e é ideal para acionar relés de estado sólido, displays e módulos de memória. Seu pacote compacto SOT-23 permite designs com economia de espaço, enquanto o design de célula de alta densidade contribui para sua baixa resistência no estado ligado (on-resistance). Com uma tensão máxima dreno-fonte de 60V e uma capacidade de corrente de dreno contínua de 300mA, este MOSFET é versátil para uma ampla gama de aplicações.
MOSFET
MOSFETs de Canal N são um componente crítico em circuitos eletrônicos, funcionando como interruptores ou amplificadores para sinais elétricos. Eles são amplamente utilizados devido à sua eficiência, confiabilidade e capacidade de lidar com níveis significativos de potência. Ao selecionar um MOSFET de Canal N, fatores como tensão dreno-fonte (VDS), tensão porta-fonte (VGS), corrente contínua de dreno (ID) e resistência estática dreno-fonte ligado (RDS(on)) são primordiais. Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de controlar o fluxo de corrente de forma eficiente e sem geração excessiva de calor.
O MOSFET 2N7002K utiliza tecnologia avançada de processo de trincheira para resistência ultra-baixa no estado ligado, o que é crucial para minimizar a perda de potência e melhorar a eficiência em aplicações de gestão de energia. A sua característica de proteção ESD torna-o adequado para uso em ambientes onde a descarga eletrostática poderia representar um risco para a operação de dispositivos eletrónicos. Além disso, o seu pacote compacto SOT-23 é benéfico para designs onde o espaço é escasso.
Ao escolher um MOSFET para uma aplicação específica, é importante considerar o ambiente operacional, incluindo a temperatura e a exposição potencial a descargas eletrostáticas. O design de célula de alta densidade do 2N7002K e a corrente de fuga muito baixa tornam-no uma excelente escolha para sistemas operados por bateria, onde a eficiência energética é crítica. Além disso, a sua capacidade de acionar relés de estado sólido e outros dispositivos de baixa potência torna-o um componente versátil para uma ampla gama de designs eletrônicos.
Em resumo, o MOSFET Canal-N 2N7002K é um componente altamente eficiente e protegido contra ESD, adequado para uma variedade de aplicações. A sua tecnologia avançada e embalagem compacta oferecem vantagens significativas para engenheiros que procuram soluções fiáveis e eficientes em termos de espaço.