2N7002ET7G: MOSFET Canal N, 60V, 310mA, SOT-23, Baixo RDS(on)
onsemi

O 2N7002ET7G é um MOSFET de Canal N da onsemi, projetado para gerenciamento eficiente de energia e aplicações de comutação. Ele apresenta uma tensão dreno-fonte (VDS) de 60V e uma corrente de dreno contínua máxima (ID) de 310mA, tornando-o adequado para uma variedade de aplicações de baixa potência. Este componente utiliza tecnologia de trincheira para alcançar valores baixos de resistência no estado ligado (RDS(on)) de 2.5Ω a 10V e 3.0Ω a 4.5V, garantindo operação eficiente e dissipação de energia reduzida.

Seu pacote SOT-23 compacto é otimizado para tecnologia de montagem em superfície, permitindo layouts de PCB de alta densidade. O 2N7002ET7G é qualificado AEC-Q101 e capaz de PPAP, indicando sua confiabilidade e adequação para aplicações automotivas. Além disso, é livre de Pb, livre de halogênio/livre de BFR e compatível com RoHS, tornando-o uma escolha ambientalmente amigável para projetos eletrônicos.

Principais Especificações e Recursos

  • Tensão Dreno-Fonte (VDS): 60V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 310mA
  • Resistência Ligada (RDS(on)): 2,5Ω a 10V, 3,0Ω a 4,5V
  • Tensão Porta-Fonte (VGS): ±20V
  • Dissipação de Potência: 300mW em estado estacionário, 420mW para <5s
  • Faixa de Temperatura de Junção de Operação: -55°C a +150°C
  • Encapsulamento: SOT-23

Datasheet 2N7002ET7G

Datasheet 2N7002ET7G (PDF)

Substitutos de 2N7002ET7G
Componentes alternativos equivalentes que podem servir como substitutos para 2N7002ET7G, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Interruptor de carga low side
  • Circuitos de deslocamento de nível
  • Conversores DC-DC
  • Aplicações portáteis (por exemplo, câmeras digitais, PDAs, telefones celulares)

Categoria

MOSFET

Informação geral

MOSFETs (Transístores de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor) são um tipo de transístor usado para amplificar ou comutar sinais eletrónicos. São um componente essencial numa vasta gama de dispositivos eletrónicos devido à sua alta eficiência e capacidades de comutação rápida. MOSFETs de Canal N, como o 2N7002ET7G, são tipicamente usados em aplicações onde as correntes de carga precisam de ser controladas por uma tensão aplicada ao terminal da porta.

Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, vários parâmetros são importantes a considerar, incluindo a tensão dreno-fonte (VDS), tensão porta-fonte (VGS), corrente de dreno contínua (ID) e resistência em condução (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência necessários e sua eficiência no circuito.

O tipo de pacote também desempenha um papel significativo no desempenho do componente, particularmente em termos de gestão térmica e pegada na PCB. Para aplicações que requerem alta fiabilidade, como automóvel ou industrial, é também importante considerar a conformidade do componente com as normas e qualificações da indústria.

No geral, a escolha de um MOSFET impactará significativamente o desempenho, a eficiência e a confiabilidade do dispositivo eletrônico em que é usado. Portanto, uma compreensão completa das especificações do componente e como elas se alinham com os requisitos da aplicação é crucial para um design ideal.

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