Le BSS138W d'onsemi est un transistor à effet de champ à mode d'enrichissement de niveau logique à canal N conçu pour un fonctionnement efficace dans les applications à basse tension et faible courant. Ce MOSFET dispose d'un boîtier compact SOT-323 pour montage en surface, ce qui le rend adapté aux configurations de PCB denses. Il est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, offrant des valeurs aussi basses que 3,5Ω à VGS = 10V, ID = 0,22A, assurant ainsi une gestion efficace de l'énergie dans les circuits.
Sa conception robuste et fiable, combinée à une conception de cellule à haute densité pour une RDS(on) extrêmement faible, fait du BSS138W un choix idéal pour des applications telles que le contrôle de petits servomoteurs, les pilotes de grille de MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation. Le dispositif fonctionne dans une tension drain-source (VDSS) de 50 V et peut gérer des courants de drain continus jusqu'à 0,21 A, ce qui le rend polyvalent pour une gamme de conceptions électroniques.
Transistor
Les transistors à effet de champ (FET), en particulier les MOSFET à canal N, sont largement utilisés dans les circuits électroniques pour leur capacité à contrôler efficacement le flux de puissance. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler la conductivité d'un canal, offrant une impédance d'entrée élevée et des vitesses de commutation rapides. Les MOSFET à canal N, tels que le BSS138W, sont particulièrement utiles dans les applications nécessitant une gestion et un contrôle efficaces de l'alimentation dans un encombrement réduit.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les facteurs importants à prendre en compte incluent la tension drain-source (VDSS), la tension grille-source (VGSS), le courant de drain continu (ID) et la résistance statique drain-source à l'état passant (RDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de puissance et l'efficacité souhaités. De plus, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont cruciaux pour garantir que le composant s'adaptera aux contraintes physiques et thermiques de la conception.
Le BSS138W est conçu pour les applications basse tension et faible courant, offrant un équilibre entre performance et taille. Sa faible RDS(on) aide à réduire les pertes de puissance, le rendant adapté aux applications à haute efficacité. Le boîtier compact SOT-323 permet des dispositions de PCB denses, offrant une flexibilité dans la conception.
Dans l'ensemble, la sélection d'un MOSFET à canal N comme le BSS138W doit être basée sur les exigences spécifiques de l'application, y compris les spécifications électriques, la taille physique et les besoins de gestion thermique. Comprendre ces facteurs aidera les ingénieurs à choisir le bon composant pour leurs conceptions, assurant des performances et une fiabilité optimales.