Le BSS138W d'onsemi est un transistor à effet de champ d'amélioration de niveau logique N-Canal conçu pour un fonctionnement efficace dans des applications à faible tension, à faible courant. Ce MOSFET dispose d'un boîtier de montage en surface SOT-323 compact, le rendant adapté aux agencements de PCB denses. Il est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, offrant des valeurs aussi basses que 3,5Ω à VGS = 10V, ID = 0,22A, assurant ainsi une gestion efficace de l'énergie dans les circuits.
Son design robuste et fiable, combiné à une conception de cellule à haute densité pour un RDS(on) extrêmement bas, fait du BSS138W un choix idéal pour des applications telles que le contrôle de petits servomoteurs, les pilotes de grille de MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation. Le dispositif fonctionne dans une tension de drain à source (VDSS) de 50V, et peut gérer des courants de drain continus jusqu'à 0.21A, le rendant polyvalent pour une gamme de conceptions électroniques.
Transistor
Les transistors à effet de champ (FET), spécifiquement les MOSFET N-Channel, sont largement utilisés dans les circuits électroniques pour leur capacité à contrôler efficacement le flux de puissance. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler la conductivité d'un canal, offrant une haute impédance d'entrée et des vitesses de commutation rapides. Les MOSFET N-Channel, tels que le BSS138W, sont particulièrement utiles dans les applications nécessitant une gestion et un contrôle de puissance efficaces dans un petit empreinte.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les facteurs importants à considérer incluent la tension de drain à source (VDSS), la tension de grille à source (VGSS), le courant de drain continu (ID) et la résistance statique de drain-source à l'état passant (RDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de puissance et l'efficacité souhaités. De plus, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont cruciaux pour assurer que le composant s'adaptera aux contraintes physiques et thermiques de la conception.
Le BSS138W est conçu pour des applications de basse tension, de faible courant, offrant un équilibre entre performance et taille. Son faible RDS(on) aide à réduire les pertes de puissance, le rendant adapté pour des applications à haute efficacité. Le boîtier compact SOT-323 permet des agencements de PCB denses, offrant une flexibilité dans la conception.
Dans l'ensemble, la sélection d'un MOSFET N-Canal comme le BSS138W doit être basée sur les exigences spécifiques de l'application, y compris les spécifications électriques, la taille physique et les besoins de gestion thermique. Comprendre ces facteurs aidera les ingénieurs à choisir le bon composant pour leurs conceptions, assurant une performance et une fiabilité optimales.