BSS138-7-F: MOSFET de mode d'amélioration de canal N, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

Le BSS138-7-F est un MOSFET à canal N en mode d'amélioration conçu pour des applications de gestion de puissance à haute efficacité. Il présente une faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) de 3.5Ω à VGS = 10V, ce qui minimise la perte de puissance tout en maintenant une performance de commutation supérieure. Ce composant se caractérise par sa faible tension de seuil de grille, sa vitesse de commutation rapide et sa faible fuite d'entrée/sortie, le rendant adapté aux applications de commutation de système et de charge.

Ce MOSFET est emballé dans un petit boîtier SOT23, offrant une solution compacte pour les conceptions à espace limité. Il est entièrement conforme à la directive RoHS et désigné comme un dispositif "Vert", indiquant qu'il est exempt d'halogène et d'antimoine. Le BSS138-7-F est idéal pour les ingénieurs à la recherche d'un interrupteur fiable avec une faible consommation d'énergie et une haute efficacité de commutation.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Tension Drain-Source (VDSS) : 50V
  • Courant de Drain (ID) : 200mA
  • Résistance à l'état passant Drain-Source (RDS(ON)) : 3,5Ω à VGS = 10V
  • Tension de seuil de grille (VGS(TH)) : 0,5 - 1,5V
  • Capacité d'entrée (Ciss) : 50pF
  • Dissipation de puissance (PD) : 300mW
  • Plage de température de fonctionnement : -55 à +150°C

BSS138-7-F Fiche technique

BSS138-7-F fiche technique (PDF)

Substituts de BSS138-7-F
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Applications

  • Applications de commutation de système/charge
  • Gestion de l'énergie haute efficacité

Catégorie

Transistors

Informations générales

Les MOSFETs de mode d'amélioration N-Channel sont un type de MOSFET conçu pour la commutation de signaux électroniques. Ces composants sont largement utilisés dans les applications de gestion de puissance en raison de leur efficacité et de leur capacité à gérer des niveaux de puissance significatifs. Les MOSFETs N-Channel sont caractérisés par leur capacité à conduire le courant entre le drain et la source lorsqu'une tension positive est appliquée à la grille par rapport à la source.

Lors de la sélection d'un MOSFET N-Canal, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID) et la résistance statique drain-source (RDS(ON)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de puissance requis et l'efficacité dans un circuit. La tension de seuil de grille (VGS(TH)) est également importante, car elle affecte la tension requise pour activer le dispositif.

Les MOSFET N-Canal sont utilisés dans une variété d'applications, y compris les circuits d'alimentation, les contrôleurs de moteur et comme interrupteurs dans les systèmes de gestion d'énergie à haute efficacité. Leur faible résistance à l'état passant et leurs capacités de commutation rapide les rendent adaptés pour les applications nécessitant une gestion et un contrôle efficaces de l'énergie.

En plus des spécifications techniques, l'emballage et la gestion thermique sont également des considérations importantes. Des dispositifs comme le BSS138-7-F, avec son emballage compact SOT23, offrent une solution pour les applications à espace contraint tout en assurant une dissipation de chaleur adéquate pour un fonctionnement fiable.

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