BSS138LT3G: MOSFET Canal N, 200 mA, 50 V, SOT-23
onsemi

Le BSS138LT3G d'onsemi est un MOSFET à canal N qui fonctionne à un maximum de 200 mA et 50 V, encapsulé dans un boîtier compact SOT-23. Ce composant est conçu pour gérer des besoins de puissance faibles à modérés dans les circuits électroniques, ce qui le rend adapté à une large gamme d'applications.

Les caractéristiques clés incluent une faible tension de seuil (VGS(th)) allant de 0,85 V à 1,5 V, ce qui permet un fonctionnement efficace dans des scénarios basse tension. De plus, le dispositif se caractérise par sa faible résistance statique drain-source à l'état passant (RDS(on)) de 3,5 Ω lorsque VGS est de 5,0 V et ID est de 200 mA, contribuant à son efficacité dans la conduction du courant. Le BSS138LT3G est également remarquable pour sa robustesse, avec une plage de température de fonctionnement et de stockage maximale de -55 à 150 °C, assurant des performances fiables dans diverses conditions environnementales.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Tension drain-source (VDSS) : 50 V
  • Tension grille-source (VGS) : ±20 V
  • Courant de drain continu (ID) à 25°C : 200 mA
  • Courant de drain pulsé (IDM) : 800 mA
  • Résistance statique drain-source à l'état passant (RDS(on)) : 3,5 Ω à VGS = 5,0 V, ID = 200 mA
  • Tension de seuil grille-source (VGS(th)) : 0,85 V à 1,5 V
  • Dissipation totale de puissance (PD) à 25°C : 225 mW
  • Plage de température de fonctionnement et de stockage : -55 à 150 °C
  • Résistance thermique, jonction-air (RθJA) : 556 °C/W

Fiche technique BSS138LT3G

Fiche technique BSS138LT3G (PDF)

Substituts pour BSS138LT3G
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour BSS138LT3G, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Convertisseurs DC-DC
  • Gestion de l'alimentation dans les produits portables et alimentés par batterie
    • Ordinateurs
    • Imprimantes
    • Cartes PCMCIA
    • Téléphones cellulaires et sans fil

Catégorie

Transistor

Informations générales

Les MOSFETs à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisés dans les circuits électroniques à des fins de commutation et d'amplification. Ces composants se caractérisent par leur capacité à contrôler un flux de courant élevé à l'aide d'une tension relativement faible, ce qui les rend essentiels dans les applications de gestion de l'alimentation et de traitement du signal.

Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDSS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain (ID) et la résistance statique drain-source à l'état passant (RDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer la tension et le courant dans des applications spécifiques, ainsi que son efficacité et ses caractéristiques de dissipation thermique.

Une autre considération importante est la tension de seuil (VGS(th)), qui indique la tension grille-source minimale requise pour activer le dispositif. Une tension de seuil plus basse peut être avantageuse dans les applications basse tension, où l'efficacité énergétique est critique.

Le type de boîtier joue également un rôle crucial, en particulier dans les conceptions à espace restreint. Le boîtier SOT-23 du BSS138LT3G, par exemple, offre un équilibre entre compacité et performance thermique, ce qui le rend adapté à une variété d'applications, y compris les appareils portables et alimentés par batterie.

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