Le BSS138LT1G d'onsemi est un MOSFET de puissance canal N conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans les appareils portables et alimentés par batterie. Il fonctionne à un courant de drain continu maximal de 200 mA et une tension drain-source de 50 V. La faible tension de seuil du composant (0,85 V à 1,5 V) le rend adapté aux applications basse tension, améliorant son utilité dans les circuits électroniques modernes.
Ce MOSFET est livré dans un boîtier compact SOT-23, optimisant l'espace sur la carte dans les conceptions densément peuplées. Il se caractérise par une résistance statique drain-source à l'état passant de 3,5Ω (à VGS = 5,0V, ID = 200mA), assurant un fonctionnement efficace. Le dispositif présente également des caractéristiques de commutation rapide, avec des temps de retard à l'activation et à la désactivation généralement autour de 20ns, contribuant à ses performances dans les applications de commutation à grande vitesse.
MOSFET
Les transistors à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFET) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont un composant essentiel dans les circuits électroniques modernes, offrant une impédance d'entrée élevée et des vitesses de commutation rapides. Les MOSFET à canal N, tels que le BSS138LT1G, sont généralement utilisés pour commuter des signaux électroniques dans la direction négative (ou 'sink').
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une conception, plusieurs paramètres sont importants à prendre en compte, notamment la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID) et la résistance statique drain-source à l'état passant (rDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de puissance requis et l'efficacité du circuit. De plus, la tension de seuil grille-source (VGS(th)) est cruciale pour déterminer la facilité avec laquelle le MOSFET peut être activé à une tension de grille donnée, affectant l'adéquation du dispositif pour les applications basse tension.
Les MOSFETs sont largement utilisés dans des applications allant de la gestion et la conversion de puissance à la commutation de signaux. Leur capacité à contrôler efficacement des courants et des tensions élevés avec une puissance d'entrée minimale les rend indispensables dans les appareils électroniques modernes. Le choix du boîtier, tel que le boîtier SOT-23 pour le BSS138LT1G, joue également un rôle important dans l'application, affectant des facteurs tels que la performance thermique et l'utilisation de l'espace sur la carte.
En résumé, lors du choix d'un MOSFET, il est important de faire correspondre étroitement les spécifications du composant avec les exigences de l'application. Cela inclut la prise en compte de l'environnement de fonctionnement, car la température et la gestion thermique peuvent avoir un impact significatif sur les performances et la fiabilité du MOSFET.