Le BSS138LT1G d'onsemi est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans les appareils portables et alimentés par batterie. Il fonctionne avec un courant de drain continu maximal de 200mA et une tension de drain à source de 50V. La faible tension de seuil du composant (0,85V à 1,5V) le rend adapté aux applications basse tension, améliorant son utilité dans les circuits électroniques modernes.
Ce MOSFET est présenté dans un boîtier SOT-23 compact, optimisant l'espace sur la carte dans les conceptions densément emballées. Il se caractérise par une résistance statique drain-source de 3.5Ω (à VGS = 5.0V, ID = 200mA), assurant un fonctionnement efficace. Le dispositif présente également des caractéristiques de commutation rapides, avec des temps de retard à l'allumage et à l'extinction typiquement autour de 20ns, contribuant à sa performance dans les applications de commutation à haute vitesse.
MOSFET
Les transistors à effet de champ à oxyde métallique (MOSFET) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont un composant essentiel dans les circuits électroniques modernes, offrant une haute impédance d'entrée et des vitesses de commutation rapides. Les MOSFETs à canal N, tels que le BSS138LT1G, sont généralement utilisés pour commuter des signaux électroniques dans la direction négative (ou 'de drain').
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une conception, plusieurs paramètres sont importants à considérer, y compris la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID), et la résistance drain-source statique (rDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de puissance requis et l'efficacité du circuit. De plus, la tension de seuil grille-source (VGS(th)) est cruciale pour déterminer la facilité d'activation du MOSFET à une tension de grille donnée, affectant l'adéquation du dispositif pour les applications à basse tension.
Les MOSFETs sont largement utilisés dans des applications allant de la gestion de l'alimentation et la conversion au commutation de signaux. Leur capacité à contrôler efficacement de forts courants et tensions avec une puissance d'entrée minimale les rend indispensables dans les appareils électroniques modernes. Le choix du boîtier, comme le boîtier SOT-23 pour le BSS138LT1G, joue également un rôle significatif dans l'application, affectant des facteurs tels que la performance thermique et l'utilisation de l'espace sur le circuit imprimé.
En résumé, lors du choix d'un MOSFET, il est important de faire correspondre étroitement les spécifications du composant avec les besoins de l'application. Cela inclut de prendre en compte l'environnement opérationnel, car la température et la gestion thermique peuvent avoir un impact significatif sur la performance et la fiabilité du MOSFET.