Le BSS138 est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N produit à l'aide de la technologie DMOS à haute densité de cellules exclusive d'onsemi. Cette technologie permet au BSS138 d'atteindre une faible résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation robustes, fiables et rapides. Le dispositif est optimisé pour les applications à basse tension et faible courant, ce qui le rend adapté au contrôle de petits servomoteurs, aux pilotes de grille MOSFET de puissance et à d'autres applications de commutation.
Doté d'un boîtier compact standard de l'industrie SOT-23 à montage en surface, le BSS138 est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, avec des valeurs de 3,5 Ω à VGS = 10 V et 6,0 Ω à VGS = 4,5 V. Cette faible résistance à l'état passant est obtenue grâce à la conception de cellules à haute densité d'onsemi, contribuant à l'efficacité du dispositif dans ses applications. De plus, le BSS138 se caractérise par sa robustesse et sa fiabilité, assurant des performances dans une variété de conditions de fonctionnement.
Le dispositif est également noté pour être sans plomb et sans halogène, s'alignant sur les normes environnementales actuelles pour les composants électroniques. Cela fait du BSS138 un choix respectueux de l'environnement pour les ingénieurs cherchant à concevoir des produits durables.
Transistor
Les transistors à effet de champ (FET) sont un type de transistor utilisé dans les circuits électroniques pour contrôler le flux de courant. Ce sont des composants clés dans une large gamme d'applications, de la gestion de l'alimentation à l'amplification du signal. Les FET fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un 'canal' dans un matériau semi-conducteur. Cela permet une commutation et une amplification efficaces des signaux électroniques.
Lors de la sélection d'un FET pour une application particulière, plusieurs paramètres sont importants à considérer. Ceux-ci incluent la tension drain-source, qui indique la tension maximale que le FET peut supporter entre ses bornes de drain et de source ; la tension grille-source, qui est la différence de tension requise à la grille pour rendre le FET conducteur ; et le courant de drain, qui est le courant maximal pouvant circuler à travers le FET. La résistance à l'état passant est également cruciale, car elle affecte l'efficacité du FET en déterminant la quantité de puissance perdue sous forme de chaleur lorsque le FET est conducteur.
Les FET à canal N, comme le BSS138, sont particulièrement adaptés aux applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie et une commutation. Ils sont généralement utilisés dans des applications à basse tension et faible courant en raison de leur capacité à contrôler efficacement le flux de courant avec une perte de puissance minimale. Lors du choix d'un FET à canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte les valeurs nominales de tension et de courant du dispositif, la résistance à l'état passant, la vitesse de commutation et les performances thermiques pour s'assurer qu'il répond aux exigences de leur application.
Le BSS138, avec sa faible résistance à l'état passant et sa conception de cellules à haute densité, est un exemple de FET à canal N conçu pour des performances efficaces dans les applications à basse tension et faible courant. Son boîtier compact SOT-23 et ses performances robustes et fiables le rendent adapté à une large gamme d'applications, y compris le contrôle moteur et la commutation de puissance.