Le BSS138 est un transistor à effet de champ (FET) canal N en mode d'amélioration produit en utilisant la technologie DMOS à haute densité cellulaire propriétaire d'onsemi. Cette technologie permet au BSS138 d'atteindre une faible résistance à l'état passant tout en maintenant une performance de commutation rapide, fiable et robuste. Le dispositif est optimisé pour des applications de basse tension, de faible courant, le rendant adapté pour le contrôle de petits moteurs servo, les pilotes de grille de MOSFET de puissance, et d'autres applications de commutation.
Doté d'un boîtier compact standard de l'industrie SOT-23 pour montage en surface, le BSS138 est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, avec des valeurs de 3.5Ω à VGS = 10V et 6.0Ω à VGS = 4.5V. Cette faible résistance à l'état passant est obtenue grâce à la conception à cellules haute densité d'onsemi, contribuant à l'efficacité du dispositif dans ses applications. De plus, le BSS138 se caractérise par sa robustesse et sa fiabilité, assurant des performances dans une variété de conditions de fonctionnement.
Le dispositif est également remarqué pour être sans plomb et sans halogène, s'alignant sur les normes environnementales actuelles pour les composants électroniques. Cela fait du BSS138 un choix respectueux de l'environnement pour les ingénieurs cherchant à concevoir des produits durables.
Transistor
Les transistors à effet de champ (FET) sont un type de transistor utilisé dans les circuits électroniques pour contrôler le flux de courant. Ils sont des composants clés dans une large gamme d'applications, de la gestion de l'énergie à l'amplification de signal. Les FET fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un 'canal' dans un matériau semi-conducteur. Cela permet la commutation et l'amplification efficaces des signaux électroniques.
Lors de la sélection d'un FET pour une application particulière, plusieurs paramètres sont importants à considérer. Ceux-ci incluent la tension drain-source, qui indique la tension maximale que le FET peut gérer entre ses bornes de drain et de source ; la tension grille-source, qui est la différence de tension requise à la grille pour rendre le FET conducteur ; et le courant de drain, qui est le courant maximal pouvant traverser le FET. La résistance à l'état passant est également cruciale, car elle affecte l'efficacité du FET en déterminant combien de puissance est perdue sous forme de chaleur lorsque le FET est conducteur.
Les FET N-Canal, comme le BSS138, sont particulièrement adaptés pour les applications nécessitant une gestion et une commutation efficaces de l'énergie. Ils sont généralement utilisés dans les applications à faible tension et à faible courant en raison de leur capacité à contrôler efficacement le flux de courant avec une perte de puissance minimale. Lors du choix d'un FET N-Canal, les ingénieurs doivent considérer les caractéristiques de tension et de courant du dispositif, la résistance à l'état passant, la vitesse de commutation et la performance thermique pour s'assurer qu'il répond aux exigences de leur application.
Le BSS138, avec sa faible résistance à l'état passant et son design de cellule à haute densité, est un exemple de FET N-Canal conçu pour une performance efficace dans les applications à basse tension et faible courant. Son boîtier compact SOT-23 et sa performance robuste et fiable le rendent adapté à une large gamme d'applications, y compris le contrôle de moteur et la commutation de puissance.