1N4148W-V-GS08..: Diode de commutation rapide petit signal, SOD-323, 75V, 150mA
Vishay

La 1N4148W-V-GS08 est une diode de commutation rapide pour petits signaux conçue pour les applications de commutation à haute vitesse. Cette diode est encapsulée dans un boîtier compact SOD-323, ce qui la rend adaptée au montage haute densité sur les PCB. Elle se caractérise par sa vitesse de commutation rapide, cruciale pour les applications nécessitant une modulation ou une démodulation rapide du signal.

La diode présente une tension inverse nominale de 75V et peut gérer un courant redressé moyen de 150mA, ce qui la rend capable de supporter une large gamme de circuits électroniques. Le courant de surcharge direct nominal de 350mA lui permet de résister aux conditions de surintensité transitoire, améliorant sa fiabilité dans les environnements exigeants. De plus, sa capacité de dissipation de puissance de 200mW assure des performances stables dans des conditions de fonctionnement prolongées.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Boîtier : SOD-323
  • Tension inverse (Vr) : 75V
  • Tension inverse de crête répétitive (Vrrm) : 100V
  • Courant redressé moyen (IF(AV)) : 150mA
  • Courant direct de surcharge (IFSM) : 350mA
  • Dissipation de puissance (Ptot) : 200mW
  • Résistance thermique jonction-air ambiant (RthJA) : 650 K/W
  • Plage de température de fonctionnement : -55 à +150 °C

Substituts pour 1N4148W-V-GS08..
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour 1N4148W-V-GS08.., composants les plus populaires en premier

Applications

  • Circuits de commutation à grande vitesse
  • Modulation/démodulation de signal
  • Applications de commutation à usage général

Catégorie

Diode

Informations générales

Les diodes sont des dispositifs semi-conducteurs qui permettent au courant de circuler dans une direction mais le bloquent dans la direction opposée, ce qui en fait des composants essentiels dans les circuits électroniques pour contrôler la direction du flux de courant. Elles existent en divers types, chacun conçu pour des applications spécifiques, telles que le redressement, la régulation de tension et la modulation de signal.

Lors de la sélection d'une diode pour une application particulière, plusieurs facteurs doivent être pris en compte, notamment la tension inverse nominale, la capacité de courant direct, la vitesse de commutation et le type de boîtier. La tension inverse nominale détermine la tension maximale que la diode peut supporter dans le sens inverse sans claquer. La capacité de courant direct est le courant maximal que la diode peut conduire sans surchauffer. La vitesse de commutation est cruciale dans les applications nécessitant que la diode s'allume et s'éteigne rapidement, comme dans les alimentations à découpage et le traitement de signaux à haute vitesse.

Le type de boîtier affecte les caractéristiques thermiques de la diode et la manière dont elle peut être montée sur un circuit imprimé. Les boîtiers compacts comme le SOD-323 sont préférés pour les conceptions de PCB à haute densité. Il est également important de prendre en compte la capacité de dissipation de puissance de la diode et sa résistance thermique pour s'assurer qu'elle fonctionne dans ses limites de température sous les conditions de charge prévues.

En résumé, la sélection d'une diode implique d'équilibrer ses caractéristiques électriques et thermiques avec les exigences de l'application prévue. Comprendre ces paramètres et leur relation avec les performances de la diode dans un circuit est essentiel pour concevoir des systèmes électroniques fiables et efficaces.

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