1N4148-TAP: Diode planaire épitaxiale au silicium, 100V VRRM, 300mA IF, boîtier DO-35
Vishay

La 1N4148-TAP de Vishay est une diode planaire épitaxiale au silicium conçue pour les applications de commutation rapide. Elle est logée dans un boîtier DO-35, ce qui la rend adaptée au montage traversant. Cette diode se caractérise par ses capacités de commutation à grande vitesse, avec une tension inverse de crête répétitive maximale (VRRM) de 100 V et un courant continu direct (IF) de 300 mA. Elle est électriquement équivalente à la diode 1N914, offrant une flexibilité d'utilisation dans diverses conceptions.

La vitesse de commutation rapide de la diode en fait un choix idéal pour les applications haute fréquence. La petite taille de son boîtier et sa haute fiabilité sont bénéfiques pour les circuits électroniques compacts. La 1N4148-TAP est également remarquable pour sa faible tension directe et son temps de récupération inverse, assurant un fonctionnement efficace dans les circuits nécessitant une commutation rapide.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Boîtier : DO-35 (DO-204AH)
  • Tension inverse de crête répétitive (VRRM) : 100V
  • Courant continu direct (IF) : 300mA
  • Courant de surcharge direct de crête (IFSM) : 2A
  • Dissipation de puissance (Ptot) : 500mW à TL ≤ 25 °C
  • Température de jonction (Tj) : 175 °C
  • Temps de recouvrement inverse (trr) : 4 ns
  • Capacité de la diode (CD) : 4 pF

Fiche technique 1N4148-TAP

Fiche technique 1N4148-TAP (PDF)

Substituts pour 1N4148-TAP
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour 1N4148-TAP, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Circuits de commutation haute fréquence
  • Traitement du signal
  • Redressement dans les appareils électroniques compacts

Catégorie

Diode

Informations générales

Les diodes sont des dispositifs semi-conducteurs qui permettent au courant de circuler dans une direction tout en le bloquant dans la direction opposée, ce qui en fait des composants essentiels dans divers circuits électroniques. Elles sont largement utilisées pour le redressement, la modulation de signal, les circuits de protection et la conversion de puissance. Lors de la sélection d'une diode, il est important de prendre en compte des paramètres tels que la chute de tension directe, le temps de récupération inverse, la capacité de courant maximale et le type de boîtier, car ces facteurs affectent directement les performances et l'efficacité du circuit.

La 1N4148-TAP est une diode de commutation rapide pour petits signaux, connue pour ses capacités de commutation à grande vitesse. Elle est conçue pour fonctionner efficacement dans des circuits nécessitant des actions de commutation rapides, tels que le traitement du signal et le redressement haute fréquence. La faible chute de tension directe de la diode et son temps de récupération inverse rapide la rendent adaptée aux applications où l'efficacité énergétique et la vitesse sont critiques.

En termes d'emballage, le boîtier DO-35 du 1N4148-TAP permet un montage traversant, ce qui est avantageux pour le prototypage et les applications nécessitant une robustesse mécanique. Les ingénieurs doivent également prendre en compte les caractéristiques thermiques de la diode et s'assurer que le dispositif fonctionne dans sa plage de température spécifiée pour éviter une défaillance prématurée.

Dans l'ensemble, la diode 1N4148-TAP est un composant polyvalent qui peut être utilisé dans une large gamme d'applications. Ses propriétés électriques et thermiques, combinées à son type de boîtier, en font un choix fiable pour les ingénieurs cherchant à intégrer des capacités de commutation rapide dans leurs conceptions.

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