1N4148: Diode petits signaux, DO-35, 100V, 300mA, recouvrement inverse 4ns
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La 1N4148 est une diode de commutation à haute vitesse qui offre des performances fiables dans un boîtier compact DO-35. Elle est conçue pour gérer une tension inverse répétitive maximale (VRRM) de 100V et un courant direct continu (IF) allant jusqu'à 300mA, ce qui la rend adaptée à une large gamme d'applications. Le temps de récupération inverse rapide de 4ns de la diode assure un fonctionnement efficace dans les circuits nécessitant une commutation rapide. La diode 1N4148 comporte une bande de marquage de cathode pour une identification facile et est disponible dans diverses options d'emballage, y compris en vrac, en bande (ammo) et en bobine, pour répondre aux différents besoins de fabrication.

Cette diode est connue pour sa faible chute de tension directe et sa capacité élevée de courant de surcharge, avec un courant de surcharge direct de pointe non répétitif (IFSM) de 1,0A pour une largeur d'impulsion de 1,0s, et de 4,0A pour une largeur d'impulsion de 1,0μs. Sa plage de température de jonction de fonctionnement va de -55°C à +175°C, et elle a une plage de température de stockage de -65°C à +200°C, permettant une utilisation dans une variété de conditions environnementales. Les caractéristiques thermiques de la 1N4148 incluent une dissipation de puissance maximale de 500mW et une résistance thermique de la jonction à l'ambiant de 300°C/W.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Tension inverse répétitive maximale (VRRM) : 100V
  • Courant direct continu (IF) : 300mA
  • Courant direct de crête récurrent (If) : 400mA
  • Courant de surcharge direct de crête non répétitif (IFSM) : 1,0A (impulsion de 1,0s), 4,0A (impulsion de 1,0μs)
  • Plage de température de stockage (TSTG) : -65 à +200°C
  • Plage de température de jonction de fonctionnement (TJ) : -55 à +175°C
  • Dissipation de puissance (PD) : 500mW
  • Résistance thermique, jonction-ambiante (RθJA) : 300°C/W
  • Tension directe (VF) : 0,62 - 1,0V selon les conditions
  • Courant de fuite inverse (IR) : 0,025μA à VR = 20V, 25°C
  • Capacité totale (CT) : 4,0pF à VR = 0, f = 1,0MHz
  • Temps de recouvrement inverse (trr) : 4,0ns

Fiche technique 1N4148

Fiche technique 1N4148 (PDF)

Substituts pour 1N4148
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour 1N4148, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Applications de commutation à grande vitesse
  • Limitation de tension
  • Circuits de protection
  • Traitement du signal

Catégorie

Diodes

Informations générales

Les diodes de petit signal comme la 1N4148 sont des dispositifs semi-conducteurs qui permettent au courant de circuler dans une seule direction, caractérisés par leur capacité à s'allumer et s'éteindre rapidement. Ces diodes sont couramment utilisées dans une variété de circuits électroniques pour des tâches telles que le redressement, la modulation de signal et la régulation de tension.

Lors de la sélection d'une diode pour petits signaux, les ingénieurs prennent en compte des paramètres tels que la tension inverse répétitive maximale, la capacité de courant direct, la dissipation de puissance et le temps de recouvrement inverse. Le choix de la diode est critique dans les applications nécessitant des vitesses de commutation rapides, car un temps de recouvrement inverse plus court permet des transitions plus rapides entre les états marche et arrêt.

La 1N4148 est remarquable pour sa capacité de commutation rapide, ce qui la rend adaptée aux applications à haute vitesse. Son boîtier compact DO-35 et sa faible chute de tension directe en font également un choix populaire pour les conceptions où l'espace et l'efficacité énergétique sont importants.

En plus des spécifications techniques, les options d'emballage telles que le vrac, l'ammo et la bande et bobine (tape and reel) sont importantes pour les processus de fabrication et d'assemblage, influençant la facilité de manipulation et d'intégration dans les dispositifs électroniques.

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