1N4448: Diode petits signaux, DO-35, 100V, 300mA, recouvrement inverse 4ns
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La 1N4448 est une diode pour petits signaux conçue pour les applications de commutation à grande vitesse. Conditionnée dans un format DO-35, elle se caractérise par sa taille compacte et sa facilité d'intégration dans divers circuits. Cette diode offre une tension inverse répétitive maximale de 100V et peut gérer un courant direct allant jusqu'à 300mA. Une caractéristique importante de la 1N4448 est son temps de récupération inverse rapide de 4ns, ce qui la rend adaptée aux opérations à haute fréquence.

La diode est encapsulée dans un boîtier en verre hermétiquement scellé, assurant fiabilité et durabilité dans diverses conditions environnementales. Sa cathode est marquée d'une bande noire pour une identification facile. La 1N4448 est disponible en vrac ou en bande et bobine, répondant aux différentes exigences d'assemblage.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Type de boîtier : DO-35
  • Tension inverse répétitive maximale (VRRM) : 100V
  • Courant direct continu (IF) : 300mA
  • Courant direct de crête récurrent (IFM) : 400mA
  • Courant direct de surcharge non répétitif (IFSM) : 1A (largeur d'impulsion = 1,0s), 4A (largeur d'impulsion = 1,0µs)
  • Temps de recouvrement inverse (trr) : 4ns
  • Plage de température de jonction de fonctionnement (TJ) : -55 à +175°C
  • Plage de température de stockage (TSTG) : -65 à +200°C

Fiche technique 1N4448

Fiche technique 1N4448 (PDF)

Substituts pour 1N4448
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour 1N4448, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Circuits de commutation haute vitesse
  • Traitement du signal
  • Limitation de tension
  • Circuits de protection

Catégorie

Diodes

Informations générales

Les diodes à petit signal comme la 1N4448 sont des composants fondamentaux dans les circuits électroniques, principalement utilisées pour leurs capacités de commutation et de redressement. Elles permettent au courant de circuler dans une direction tout en le bloquant dans la direction opposée, ce qui les rend essentielles pour contrôler le flux des signaux électriques. Lors de la sélection d'une diode à petit signal, les ingénieurs prennent en compte des paramètres tels que la tension inverse répétitive maximale, le courant direct, le temps de recouvrement inverse et le type de boîtier pour assurer la compatibilité avec les exigences de leur application.

La 1N4448 est particulièrement remarquable pour son temps de recouvrement inverse rapide, ce qui est critique dans les applications de commutation à haute vitesse où des transitions rapides entre les états conducteur et non conducteur sont nécessaires. Son boîtier compact DO-35 facilite l'intégration dans une large gamme de circuits, du traitement du signal aux schémas de protection. Le joint hermétique de la diode assure des performances fiables dans diverses conditions environnementales.

En plus des spécifications techniques, des considérations pratiques telles que les options d'emballage et les caractéristiques thermiques jouent également un rôle dans la sélection des composants. La disponibilité du 1N4448 en vrac et en bande et bobine répond à différentes échelles de production, tandis que sa résistance thermique assure un fonctionnement stable dans ses plages de température spécifiées.

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