1N4448: Diode à petit signal, DO-35, 100V, 300mA, 4ns de temps de récupération inverse
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Le 1N4448 est une diode de signal faible conçue pour des applications de commutation à haute vitesse. Emballée dans un format DO-35, elle se caractérise par sa taille compacte et sa facilité d'intégration dans divers circuits. Cette diode offre une tension de répétition inverse maximale de 100V et peut gérer un courant direct allant jusqu'à 300mA. Une caractéristique importante du 1N4448 est son temps de récupération inverse rapide de 4ns, la rendant adaptée aux opérations à haute fréquence.

La diode est encapsulée dans un boîtier en verre hermétiquement scellé, assurant fiabilité et durabilité sous diverses conditions environnementales. Sa cathode est marquée d'une bande noire pour une identification facile. Le 1N4448 est disponible en vrac ou en bande et bobine, répondant à différents besoins d'assemblage.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Type de boîtier : DO-35
  • Tension répétitive maximale inverse (VRRM) : 100V
  • Courant direct (IF) : 300mA
  • Courant de pointe récurrent direct (IFM) : 400mA
  • Courant de pointe direct non répétitif (IFSM) : 1A (largeur d'impulsion = 1,0s), 4A (largeur d'impulsion = 1,0µs)
  • Temps de récupération inverse (trr) : 4ns
  • Plage de température de jonction de fonctionnement (TJ) : -55 à +175°C
  • Plage de température de stockage (TSTG) : -65 à +200°C

1N4448 Fiche technique

1N4448 fiche technique (PDF)

Substituts de 1N4448
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Applications

  • Circuits de commutation à haute vitesse
  • Traitement de signal
  • Serrage de tension
  • Circuits de protection

Catégorie

Diodes

Informations générales

Les diodes de petits signaux comme la 1N4448 sont des composants fondamentaux dans les circuits électroniques, principalement utilisées pour leurs capacités de commutation et de redressement. Elles permettent au courant de circuler dans une direction tout en le bloquant dans la direction opposée, les rendant essentielles pour contrôler le flux de signaux électriques. Lors de la sélection d'une diode de petit signal, les ingénieurs considèrent des paramètres tels que la tension répétitive maximale inverse, le courant direct, le temps de récupération inverse et le type de conditionnement pour assurer la compatibilité avec les exigences de leur application.

Le 1N4448 est particulièrement remarquable pour son temps de récupération inverse rapide, qui est critique dans les applications de commutation à haute vitesse où des transitions rapides entre les états conducteurs et non conducteurs sont requises. Son boîtier compact DO-35 facilite l'intégration facile dans une large gamme de circuits, du traitement de signal aux schémas de protection. Le sceau hermétique de la diode assure une performance fiable sous diverses conditions environnementales.

En plus des spécifications techniques, des considérations pratiques telles que les options d'emballage et les caractéristiques thermiques jouent également un rôle dans la sélection des composants. La disponibilité du 1N4448 en options d'emballage en vrac et en bande et bobine répond à différentes échelles de production, tandis que sa résistance thermique assure un fonctionnement stable dans ses plages de températures spécifiées.

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