NSVBAT54HT1G: Schottky-Barriere-Diode, 30V, 200mA, SOD-323, schnelles Schalten
onsemi

Die NSVBAT54HT1G von onsemi ist eine Schottky-Barriere-Diode, die für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen, Schaltungsschutz und Spannungsbegrenzung entwickelt wurde. Sie zeichnet sich durch eine extrem niedrige Durchlassspannung aus, die die Leitungsverluste erheblich reduziert, was sie für hocheffiziente Anwendungen geeignet macht. Das Miniatur-SOD-323-Oberflächenmontagegehäuse ist ideal für tragbare und handgehaltene Anwendungen, bei denen der Platz begrenzt ist.

Diese Diode zeichnet sich durch ihre schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Durchlassspannung von typischerweise 0,35V bei 10mA Durchlassstrom aus. Sie ist für Automobilanwendungen (AEC-Q101) qualifiziert und PPAP-fähig, was ihre Zuverlässigkeit und Qualität für kritische Anwendungen anzeigt. Das Bauteil ist außerdem bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform, was den Umweltstandards entspricht.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Sperrspannung (VR): 30V\n- Durchlassstrom (IF): 200mA\n- Nicht-wiederholbarer Spitzen-Durchlassstrom (IFSM): 600mA\n- Niedrige Durchlassspannung: 0,35V (Typ) @ IF = 10mA\n- Sperrleckstrom (IR): 0,5μA @ VR = 25V\n- Gesamtkapazität (CT): 7,6pF @ VR = 1,0V, f = 1,0MHz\n- Sperrverzögerungszeit (trr): <5ns\n- **Gehäuse:** SOD-323

NSVBAT54HT1G Datenblatt

NSVBAT54HT1G Datenblatt (PDF)

NSVBAT54HT1G Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für NSVBAT54HT1G dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise\n- Schaltungsschutz\n- Spannungsbegrenzung

Kategorie

Dioden

Allgemeine Informationen

Schottky-Barriere-Dioden sind Halbleiterbauelemente, die so konstruiert sind, dass sie Strom in eine Richtung leiten, ähnlich wie andere Dioden, jedoch mit einigen deutlichen Vorteilen. Sie sind bekannt für ihren niedrigen Durchlassspannungsabfall und ihre schnellen Schaltfähigkeiten. Diese Eigenschaften machen Schottky-Dioden besonders nützlich in hocheffizienten Stromversorgungsschaltungen, HF-Anwendungen und als Gleichrichter in Niederspannungs-, Hochfrequenz-Wechselrichtern.

Bei der Auswahl einer Schottky-Diode für eine bestimmte Anwendung ist es wichtig, Parameter wie die maximale Sperrspannung, den Durchlassstrom, die Leistungsaufnahme, den Gehäusetyp und die thermischen Eigenschaften zu berücksichtigen. Der niedrige Durchlassspannungsabfall von Schottky-Dioden reduziert Leistungsverluste, was sie für Anwendungen geeignet macht, bei denen Effizienz entscheidend ist. Sie haben jedoch typischerweise höhere Sperrströme als andere Dioden, was in einigen Anwendungen ein begrenzender Faktor sein kann.

Die schnelle Schaltgeschwindigkeit von Schottky-Dioden ist vorteilhaft für Hochfrequenzanwendungen, aber es ist wichtig sicherzustellen, dass das Bauteil den erforderlichen Strom ohne Überhitzung bewältigen kann. Wärmemanagementstrategien können in Hochleistungsanwendungen erforderlich sein. Darüber hinaus können Gehäusetyp und -größe die thermische Leistung und Eignung für kompakte Designs beeinflussen.

Insgesamt sind Schottky-Dioden vielseitige Bauteile, die die Effizienz und Leistung in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen verbessern können. Das Verständnis ihrer Eigenschaften und Einschränkungen ist der Schlüssel zur Auswahl der richtigen Diode für Ihre Anwendung.

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